Aplicações de baixa frequência encapsuladas plástico do ampère de poder do transistor 2SC2274 de NPN

Número de modelo:2SC2274
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10000
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

 

Transistor encapsulado plástico de NPN

2SC2274

 
 

CARACTERÍSTICAS

* alta tenso da diviso                                                            

* altamente atual                    

* baixa tenso de saturaço

 

 

 

CLASSIFICAÇO DEFEde h(1)

Produto-grau2SC2274-D2SC2274-E2SC2274-F
  Escala  60~120  100~200  160~320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25°C salvo disposiço em contrário)

   Parmetro           Símbolo        Avaliaço       Unidade
 Coletor tenso baixa            VCBO           60        V
 Coletor tenso do emissor             VCEO            50        V
 Emissor tenso baixa             VEBO             5        V
 Corrente de coletor - contínua              MIMC            0,5        A
 Dissipaço de poder do coletor              PC           600       mW
 Resistência térmica da junço a ambiental              RdoθJA           208     °C/W
 Junço, temperatura de armazenamento              TJ, TSTG     150, -55~150         °C

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta = 25°C salvo disposiço em contrário)

  Parmetro  Símbolo  Mínimo. Tipo.  Máximo.Unidade   Condições de teste
Coletor para basear a tenso de diviso V(BR)CBO 60

  --

   --  V MimC=0.01mA, ISTO É =0
Coletor tenso de diviso do emissor (BR)CEO V  50   --   --  V MimC=1mA, IB=0
Emissor para basear a tenso de diviso V(BR)EBO   5   --   --  V ISTO É =0.01MA, IC=0
Corrente de interrupço de coletor  MIMCBO   --   --   1  μA VCB=40V, ISTO É =0
Corrente da interrupço do emissor  MIMEBO   --   --   1  μA VEB=4V, IC=0
Ganho atual de C.C.

  FEde h(1)

  FEde h(2)

  60

  35

   --

   --

  320

   --

 

 VCE=5V, IC=50mA

 VCE=5V, IC=400mA

Coletor tenso de saturaço do emissor  VCE(sentado)   --   --  0,6  V MimC=400mA, IB=40mA
Base tenso do emissor  VSEJA(sentado)   --   --  1,2  V MimC=400mA, IB=40mA
Frequência da transiço   fT   --  120   --  Megahertz VCE=10V, IC=10mA
Capacidade de saída do coletor   Obde C   --   5   --   PF VCB=10V, f=1MHz

 

 

 

 

 

 

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Aplicações de baixa frequência encapsuladas plástico do ampère de poder do transistor 2SC2274 de NPN

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