C.C. da microplaqueta de IC dos componentes do circuito integrado do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289
Número de modelo:SW-289
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:3100pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes:
No 25 Horas
Detalhes do produto
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Detalhes do produto
C.C. do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289
Características
- Muito consumo da baixa potência: µW 100
- Baixa perda de inserço: 0,5 DB
- Isolamento alto: DB 25 até 2 gigahertz
- Ponto muito alto da intercepço: IP3 de 48 dBm
- Velocidade de interruptor do nanossegundo
- Variaço da temperatura: -40˚C a +85˚C
- Pacote do plástico do baixo custo SOIC14
- Grave e bobine empacotando1 disponível
Descriço
M/A-COM SW-289 é um interruptor do GaAs MMIC DPDT em um pacote de superfície do plástico da montagem da ligaço do baixo custo SOIC 14. O SW-289 é serido idealmente para o uso onde muito o consumo da baixa potência é com referência a q u mim com referência s aplicações típicas do D. inclui o interruptor da transmisso/recepço, as matrizes de interruptor, atenuador digitais da etapa, e bancos de filtro nos sistemas tais como: equipamento de rádio e celular, PCM, GPS, módulos da fibra ótica, e o outro equipamento de rádio a pilhas.
O SW-289 é fabricado com um GaAs monolítico MMIC usando um processo maduro de 1 mícron. O processo caracteriza o passivation completo da microplaqueta para o desempenho e a confiança aumentados.
| Parmetro | Condições de teste2 | Unidade | Mínimo. | Tipo. | Máximo. |
| Perda de inserço | C.C. – 0,1 gigahertz C.C. – 0,5 gigahertz C.C. – 1,0 gigahertz C.C. – 2,0 gigahertz | DB DB DB DB | 0,35 0,35 0,4 0,6 | 0,5 0,5 0,6 0,8 | |
| Isolamento | C.C. – 0,1 gigahertz C.C. – 0,1 gigahertz C.C. – 1,0 gigahertz C.C. – 2,0 gigahertz | DB DB DB DB | 50 40 32 20 | 56 43 35 23 | |
| VSWR | C.C. – 2,0 gigahertz | 1.3:1 | |||
Trise, Tfall Tonelada, ricalhaço Transeuntes | 10% a 90% RF, 90% a 10% RF Controle de 50% a 90% RF, controle de 50% a 10% RF Na faixa | nS nS milivolt | 3 6 15 | ||
Um DB Compresso | Poder de entrada 0,05 gigahertz Gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0 | dBm dBm | 22 27 | ||
| IP2 | Parente medido 0,05 gigahertz ao gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0 (para o poder de entrada bicolor até o dBm +5) | dBm dBm
| 54 66
| ||
| IP3 | Parente medido 0,05 gigahertz ao gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0 (para o poder de entrada bicolor até o dBm +5) | dBm dBm
| 45 48
|
1. Consulte “para gravar e bobinar” seço de empacotamento, ou contacte a fábrica.
2. Todas as medidas com 0, -5 tensões do controle de V em 1 gigahertz em um sistema 50W, salvo disposiço em contrário.
| Parmetro | Máximo absoluto |
Poder de entrada máximo 0,05 gigahertz 0,5 – 2,0 gigahertz Controle a tenso Temperatura de funcionamento Temperatura de armazenamento |
dBm +27 dBm +34 +5 V, -8,5 V -40°C a +85°C -65°C a +150°C |
1.Operation deste dispositivo acima de algum um destes
os parmetros podem causar dano permanente.
Diagrama esquemático funcional
Desempenho típico
C.C. da microplaqueta de IC dos componentes do circuito integrado do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289
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