Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V

Número de modelo:CSD19533Q5A
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5200PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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CARACTERÍSTICAS                                                                         

• Ultra-baixos Qg e Qgd

• Baixa resistência térmica

• Avalancha avaliada

• Chapeamento terminal Pb-livre                                                  

• RoHS complacente

• O halogênio livra

• FILHO 5 milímetros de × pacote do plástico de 6 milímetros

 

 

 

 

APLICAÇÕES

• Telecomunicações laterais preliminares

• Retificador síncrono lateral secundário

• Controlo do motor 

 

 

 

 

DESCRIÇO

Este 100 V, 7,8 mΩ, FILHO 5 milímetro x 6 milímetros NexFET™

o MOSFET do poder é projetado minimizar dentro perdas

aplicações da converso de poder.

 

 

 

 

 

 

Informaço da fita e do carretel de Q5A

 

Notas:

1. tolerncia cumulativa ±0.2 do furo-passo 10-sprocket

2. Curve para no exceder 1 milímetro em 100 milímetros, noncumulative sobre 250 milímetros

3. Material: poliestireno estático-dissipative preto

4. Todas as dimensões esto no milímetro (salvo disposiço em contrário)

5. A0 e B0 mediram em um plano 0,3 milímetros acima da parte inferior do bolso

 

China Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V supplier

Baixa resistência térmica 100 MOSFETs CSD19533Q5A do poder de NexFET do N-canal de V

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