Os transistor do dobro do transistor do Mosfet do poder de NPN Output as travas 3-State 74AHCT595

Número de modelo:74AHCT595
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:9000pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

1. Descriço geral

 

                        O 74AHC595; 74AHCT595 so dispositivos de alta velocidade do CMOS da Si-porta e so pino

                        compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). So especificados em conformidade com

                        Padro no 7A de JEDEC.

 

                        O 74AHC595; 74AHCT595 so 8 registros de deslocamento de série da fase com um registro de armazenamento e

                        saídas 3-state. Os registros têm pulsos de disparo separados.

 

                        Os dados so deslocados nas transições positivo-indo da entrada de pulso de disparo do registro de deslocamento (SHCP).

                        Os dados em cada registro so transferidos ao registro de armazenamento em positivo-ir

                        transiço da entrada de pulso de disparo do registro de armazenamento (STCP). Se ambos os pulsos de disparo so conectados junto,

                        o registro de deslocamento será sempre um impulso de relógio antes do registro de armazenamento.

 

                        O registro de deslocamento tem uma entrada de série (DS) e uma saída padro de série (Q7S) para conectar.

                        Igualmente fornece-se com a restauraço assíncrona (PONTO BAIXO ativo) para todas as 8 fases do registro de deslocamento.

                        o registro de armazenamento tem 8 saídas do condutor de ônibus do estado da paralela 3. Dados no registro de armazenamento

                        parece na saída sempre que a saída permite de entrar (OE) é BAIXA

 

2. Características

 

                        Atrasos de propagaço equilibrados do ■

                        O ■ todas as entradas tem a aço do Schmitt-disparador

                        As entradas do ■ aceitam tensões mais altamente do que Vcentímetro cúbico

                        Níveis de entrada do ■:

                            ◆ que O 74AHC595 se opera com níveis de entrada do CMOS

                            ◆ que O 74AHCT595 se opera com níveis de entrada de TTL

                        Proteço do ESD do ■:

                            O ◆ HBM JESD22-A114E excede 2000 V

                            O ◆ milímetro JESD22-A115-A excede 200 V

                            O ◆ CDM JESD22-C101C excede 1000 V

                        Opções múltiplas do pacote do ■

                        ■ especificado do °C −40 ao °C +85 e do °C −40 ao °C +125

 

3. Aplicações

 

                        converso de dados De série--paralela do ■

                        Registro de terra arrendada de controle remoto do ■

 

4. Informaço pedindo

 

Datilografe o númeroPacote
Variaço da temperatura      Nome Descriço    Verso
74AHC595    
74AHC595D

°C −40 ao °C +125               

                                                                                                                           

SO16

pacote pequeno plástico do esboço; 16 ligações; corpo

largura 3,9 milímetros

SOT109-1
74AHC595PW

°C −40 ao °C +125    

TSSOP16pacote pequeno do esboço do psiquiatra fino plástico; 16 ligações; largura do corpo 4,4 milímetrosSOT403-1
74AHC595BQ

°C −40 ao °C +125     

DHVQFN16

a em-linha dupla plástica thermal compatível aumentou o pacote liso do quadrilátero muito fino; nenhumas ligações; 16 terminais; × 3,5 ×0.85mm do corpo 2,5 

 

SOT763-1

 

5. Diagrama funcional

 

China Os transistor do dobro do transistor do Mosfet do poder de NPN Output as travas 3-State 74AHCT595 supplier

Os transistor do dobro do transistor do Mosfet do poder de NPN Output as travas 3-State 74AHCT595

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