N - Transistor de efeito de campo P0903BDL do modo do realce do nível da lógica do canal

Número de modelo:P0903BDL
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:290pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

 

AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS do DIODO de SOURCE-DRAIN (TC = °C) 25

Corrente contínua  MIMS   50     A
Corrente pulsada3  MIMMANUTENÇO PROGRAMADA   150
Tenso dianteira1VSDMIMS = 25A, VGS = 0V 0,91,3     V
Tempo de recuperaço reversatrrMimF = IS, dlF/dt = 100A/µS 70      nS
Corrente de recuperaço reversa máximaIRM (REC) 200        A 
Carga reversa da recuperaço  0,043      µC

 

 

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

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