Novo & original 50 TRIAC BTA40-600 do módulo de poder 40A do Mosfet do miliampère
Número de modelo:BTA40-600
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:850pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes:
No 25 Horas
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TRIAC 40A
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:
| Símbolo | Valor | Unidade |
| MIMT(RMS) | 40 | A |
| VDRM/VRRM | 600 e 800 | V |
| MIMGT(Q1) | 50 | miliampère |
DESCRIÇO
Disponível em pacotes do poder superior, a série de BTA/BTB40-41 é
apropriada para a comutaço de uso geral da alimentaço CA. Podem ser
usados como uma funço DE LIGAR/DESLIGAR nas aplicações tais como
relés estáticos, regulamento de aquecimento, aquecedores de água,
motor de induço que liga circuitos, equipamento de soldadura… ou
para a operaço de controle da fase em controladores da velocidade
do motor do poder superior, o começo macio circuita…
Agradecimentos a sua técnica do conjunto do grampo, fornecem um
desempenho superior na corrente de impulso que segura capacidades.
Usando uma almofada cermica interna, a série de BTA fornece a tenso
aba isolada (avaliada em 2500 V RMS) que cumpre com os padrões do
UL (referência do arquivo.: E81734).
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade | ||
MIMT(RMS) | Corrente do em-estado do RMS | RD91 | Tc = 80°C | 40 | A |
| TOP3 | |||||
| Ins TOP3. | Tc = 70°C | ||||
| MIMTSM | Em-estado no repetitivo do pico do impulso | F = 60 hertz | t = Senhora 16,7 | 420 | A |
| F = 50 hertz | t = Senhora 20 | 400 | |||
| Ele | Mim valor de t para fundir | tp = Senhora 10 | 880 | Um s | |
| dI/dt | Taxa crítica de elevaço da corrente do em-estado | F = 120 hertz | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
| VDSM/VRSM | Tenso no repetitiva do fora-estado do pico do impulso | tp = Senhora 10 | Tj = 25°C | VDRM/VRRM | V |
| MIMGM | Corrente máxima da porta | tp = 20 µs | Tj = 125°C | 8 | V |
| PG(AVOIRDUPOIS) | Dissipaço de poder média da porta | Tj = 125°C | 1 | W | |
Stgde T | Variaço da temperatura da junço do armazenamento | - 40 + a 150 | °C | ||
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj = 25°C, salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Condições de teste | Quadrante | Valor | Unidade | |
| MIMGT (1) | VD = 12 V RL = Ω 33 | I - II - III | MÁXIMO. | 50 | miliampère |
| VGT | TUDO | MÁXIMO. | 1,3 | V | |
| VGD | VD = VDRM RL = 3,3 kΩ Tj = 125°C | TUDO | MÍNIMO. | 0,2 | V |
| MIMH (2) | MimT = 500 miliampères | MÁXIMO. | 80 | miliampère | |
| MIML | MIMG = 1,2 IGT | I - III - IV | MÁXIMO. | 70 | miliampère |
| dV/dt (2) | VD = porta T aberto de 67% VDRMj = 125°C | MÍNIMO. | 500 | V/µs | |
| (dV/dt) c (2) | (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C | MÍNIMO. | 10 | V/µs | |
Novo & original 50 TRIAC BTA40-600 do módulo de poder 40A do Mosfet do miliampère
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