100V 80A, transistor do Mosfet do poder 9mз qualificou à capacidade FDB3632 da CEA Q101 UIS

Número de modelo:FDB3632
Lugar de origem:Tailândia
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5200PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

FDB3632/FDP3632/FDI3632

MOSFET 100V de PowerTrench® do N-canal, 80A, 9mΩ

 

Características

• RDS (SOBRE) = 7.5mΩ (tipo.), VGS = 10V, identificaço = 80A

• Qg (pequeno) = 84nC (tipo.), VGS = 10V   

• Baixa carga de Miller

• Baixo diodo do corpo de QRR

• Capacidade de UIS (único pulso e pulso repetitivo)

• Qualificado ao tipo desenvolvente 82784 da CEA Q101 anteriormente

 

Aplicações

• Conversores de DC/DC e UPS autônomo

• Arquiteturas distribuídas e VRMs do poder

• Interruptor preliminar para os sistemas 24V e 48V

• Retificador síncrono de alta tenso

• Injeço direta/sistemas de injeço diesel

• controle de carga 42V automotivo

• Sistemas eletrônicos do trem de válvula

 

 

China 100V 80A, transistor do Mosfet do poder 9mз qualificou à capacidade FDB3632 da CEA Q101 UIS supplier

100V 80A, transistor do Mosfet do poder 9mз qualificou à capacidade FDB3632 da CEA Q101 UIS

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