Circuitos supervisórios ADM691AARNZ do microprocessador novo & original da microplaqueta do circuito integrado

 
 
Circuitos supervisórios do microprocessador
ADM691A/ADM693A/ADM800L/M
 
DIAGRAMA DE BLOCO FUNCIONAL DAS CARACTERÍSTICAS
Consumo da baixa potência:
Monitor de tenso da preciso
Tolerncia de ±2% em ADM800L/M
Restaure a Senhora do tempo Delay-200, ou ajustável
1 corrente espera do µA
Interruptor automático do poder do backup de bateria
Bloquear a bordo rápido da microplaqueta permite sinais
Também disponível no pacote de TSSOP (ADM691A)
 
APLICAÇÕES
Sistemas do microprocessador
Computadores
Controladores
Instrumentos inteligentes
Sistemas automotivos C
monitoraço ritical do poder do µP
 
 
DESCRIÇO GERAL
A família de ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M de circuitos supervisórios oferece únicas soluções completas da microplaqueta para funções de controle da monitoraço e da bateria da fonte de alimentaço em sistemas do microprocessador. Estas funções incluem a restauraço do µP, switchover da backup-bateria,
o temporizador de co de guarda, CMOS RAM escreve a proteço, e
avisoda falha de energia. A família dos produtos fornece uma elevaço para a família de MAX691A/93A/800M dos produtos.
 
Todas as peças esto disponíveis no MERGULHO de 16 pinos e empacotam ASSIM. O ADM691A está igualmente disponível em um pacote da espaço-economia TSSOP. A seguinte funcionalidade é fornecida:
 
1. Poder-na restauraço output durante a ligaço inicial, condições do poder-para baixo e da baixa de presso. Os circuitos permanecem operacionais com VCC o to baixo quanto 1 V.
 
2. Interruptor do backup de bateria para o microprocessador do CMOS RAM, do CMOS ou a outra lógica da baixa potência.
 
3. Um pulso de restauraço se o temporizador de co de guarda opcional no foi firmado dentro de um tempo especificado.
 
4. Um detector do ponto inicial de 1,25 V para o aviso da falha do poder, a baixa detecço da bateria, ou para monitorar uma fonte de alimentaço outro
    do que +5 V.
 
 
MÁXIMO ABSOLUTO RATINGS*
(Ta = 25°C salvo disposiço em contrário)
V_{centímetro cúbico}…………………………… – 0,3 V a +6 V
V_BATERIA…………………………. – 0,3 V a +6 V
Todas entradas restantes……………. – 0,3 V a VOUT + 0,5 V
Corrente de entrada
  V_{centímetro cúbico} (pico)…………………………. 1000 miliampères
  V_{centímetro cúbico} (contínuo)……………………… 250 miliampères
  V_bateria (pico)………………………… 250 miliampères
  V_bateria (contínua)……………………. 25 miliampères
Terra, bateria………………………… em 100 miliampères
Corrente de saída de Digitas……………………… 25 miliampères
Dissipaço de poder, N-16 MERGULHO………………… 842 mW
  impedncia térmica do θϑA…………………. 135°C/W
Dissipaço de poder, R-16 estreito SOIC…………. 700 mW
  impedncia térmica…………………… .110°W do θ_JA
Dissipaço de poder, R-16 SOIC largo……………. 762 mW
  impedncia térmica do θ_JA……………………. 110°C/W
Dissipaço de poder, RU-16 TSSOP……………… 500 mW
  impedncia térmica do θ_JA……………………. 158°C/W
Variaço da temperatura de funcionamento
(Uma verso)…………………… – 40°C industrial a +85°C
Conduza a temperatura (solda, segundo 10)………. V.… +300°C
  Fase de vapor (segundo 60)…………………………. 215°C
  Infravermelho (segundo 15)……………………………. +220°C
Variaço da temperatura……………… – 65°C do armazenamento a +150°C
 
os *Stresses acima daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operaço funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles alistados nas seções operacionais desta especificaço no é implicada. A exposiço s avaliações máximas absolutas por períodos de tempo prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.
 
GUIA PEDINDO

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