8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFRED

Número de modelo:HFA08TB60
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:290pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

CARACTERÍSTICAS

• Recuperaço Ultrafast

• Recuperaço Ultrasoft

• IRRM muito baixo

• Qrr muito baixo

• Especificado em condições operacionais

• Projetado e qualificado para o nível industrial

BENEFÍCIOS

• IRF e IEM reduzidos

• Perda de poder reduzida no diodo e no transistor de interruptor

• Operaço mais alta da frequência

• Desprezar reduzido

• Contagem reduzida das peças

 

DESCRIÇO

HFA08TB60 é um diodo ultrafast avançado da recuperaço. Empregando o mais atrasado na construço epitaxial e em técnicas de processamento avançadas caracteriza uma combinaço magnífica de características que conduzem ao desempenho que é absoluto por todo o retificador previamente disponível. Com avaliações básicas de 600 V e da corrente contínua de 8 A, o HFA08TB60 é especialmente bom - serido para o uso como o diodo do companheiro para IGBTs e MOSFETs. Além do que o tempo de recuperaço ultrafast, a linha de produtos de HEXFRED® caracteriza extremamente - os baixos valores da recuperaço máxima atuais (IRRM) e no exibe nenhuma tendência “presso-fora” durante a parcela da TB de recuperaço. As características de HEXFRED combinam para oferecer a desenhistas um retificador com mais baixo ruído e para abaixar significativamente perdas do interruptor no diodo e no transistor de interruptor. Estas vantagens de HEXFRED podem ajudar a reduzir significativamente desprezar, contagem componente e tamanhos do dissipador de calor. O HEXFRED HFA08TB60 é serido idealmente para aplicações em fontes de alimentaço e sistemas de converso do poder (tais como inversores), movimentações do motor, e muitas outras aplicações similares onde a alta velocidade, eficiência elevada é precisada.

 

 

SUMÁRIO DO PRODUTO
V600 V
VF em 8 A no °C 251,7 V
F(AVOIRDUPOIS) 8 A
trr (típico) 18 ns
TJ (máximo) °C 150
Qrr (típico)65 nC
dI (rec) M/dt (típicos)240 A/µs

 

Diodo macio Ultrafast da recuperaço, 8 A

China 8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFRED supplier

8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFRED

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