Pegada ultra baixa IRLML6402TRPBF de comutação rápido do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET

Número de modelo:IRLML6402TRPBF
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:5200PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

HEXFET Poder MOSFET T


♦ Ultra Low On-Resistência

♦ P-Channel MOSFET


♦ SOT-23 Footprint

♦ Low Profile (<1,1 milímetros)


♦ Disponível em Tape and Reel

♦ Troca rápida de


Estes MOSFETs P-Canal de International Rectifier utilizar técnicas avançadas de processamento para alcançar extremamente baixa onresistance por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e design de equipamento robusto que HEXFET® MOSFETs de potência so bem conhecidos por, fornece o designer com um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso na bateria e gerenciamento de carga.


Um grande leadframe almofada de reforço térmico foi incorporada no pacote padro SOT-23 para produzir um MOSFET HEXFET com menor pegada da indústria. Este pacote, apelidado de Micro3 ™, é ideal para aplicações onde o espaço impresso placa de circuito está em um prêmio. O perfil baixo (<1,1 milímetros) do Micro3 permite que caiba facilmente em ambientes de aplicativos extremamente finas, tais como eletrônicos portáteis e cartões PCMCIA. A resistência térmica e dissipaço de energia so os melhores disponíveis.


ParmetroMax.Unidades
V DSDrenagem Tenso Fonte-20V
I D @ Ta = 25 ° CContínua Corrente de dreno, VGS @ -4.5V-3.7UMA
I D @ Ta = 70 ° CContínua Corrente de dreno, VGS @ -4.5V-2.2
I DMPulsada Corrente de dreno-22
P D @TA = 25 ° CDissipaço de energia1.3W
P D @TA = 70 ° CDissipaço de energia0,8
Fator de reduço linear0,01BANHEIRO
E ASÚnico pulso Avalanche Energia11mJ
V GSPorta-a-Fonte de tenso± 12V

China Pegada ultra baixa IRLML6402TRPBF de comutação rápido do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET supplier

Pegada ultra baixa IRLML6402TRPBF de comutação rápido do MOSFET SOT-23 do P-canal do MOSFET do poder da Em-resistência HEXFET

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