AT28C64B-15PU IC programável lasca componentes da eletrônica

Número de modelo:AT28C64B-15PU
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:4600pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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(8K x 8) a paralela 64K EEPROM com página a proteço de dados AT28C64B escreve e da software

 

Características

• Jejua o tempo de acesso lido – 150 ns

• A página automática escreve a operaço

  – Travas de endereço interno e de dados para 64 bytes

• Rápido escreva tempos de ciclo

  – A página escreve o tempo de ciclo: 10 Senhora máximo (padro)

     2 Senhora máximo (opço – referência. Folha de dados de AT28HC64BF)

  – a página de 1 a 64 bytes escreve a operaço

• Dissipaço de baixa potência

  – corrente ativa de 40 miliampère

  – corrente espera do CMOS de 100 µA

• Proteço de dados do hardware e do software

• A votaço dos DADOS e o bocado do pino de madeira para o fim de escrevem a detecço

• Tecnologia alta do CMOS da confiança

  – Resistência: 100.000 ciclos

  – Retenço dos dados: 10 anos

• Única fonte de 5V ±10%

• CMOS e entradas e saídas compatíveis de TTL

• JEDEC Pinout Byte-largo aprovado

• Variações da temperatura industriais

• Opço de empacotamento do verde (Pb/Halide-free)

 

1. Descriço

O AT28C64B é uma memória de leitura apenas bonde-apagável e programável de capacidade elevada (EEPROM). Seu 64K da memória é organizado como 8.192 palavras por 8 bocados. Fabricado com tecnologia permanente avançada do CMOS de Atmel, o dispositivo oferece tempos de acesso a 150 ns com dissipaço de poder de apenas 220 mW. Quando o dispositivo deselected, a corrente espera do CMOS é menos do µA 100.

 

O AT28C64B é alcançado como RAM estático para lida ou escreve o ciclo sem a necessidade para componentes externos. O dispositivo contém um registro da página de 64 bytes para permitir simultaneamente a escrita de até 64 bytes. Durante um ciclo da escrita, os endereços e 1 a 64 bytes dos dados so travados internamente, livrando o ônibus do endereço e de dados para outras operações. Depois da iniciaço de um ciclo da escrita, o dispositivo redigirá automaticamente os dados travados usando um temporizador do controle interno. A extremidade de um ciclo da escrita pode ser detectada pela VOTAÇO dos DADOS de I/O7. Uma vez a extremidade de um ciclo da escrita foi detectada, um acesso novo para lida ou escreve pode começar.

 

O AT28C64B de Atmel tem as características adicionais para assegurar de alta qualidade e o manufacturability. O dispositivo utiliza de correço de erros interno para resistência prolongada e características melhoradas da retenço dos dados. Um mecanismo opcional da proteço de dados do software está disponível para guardar contra inadvertido escreve. O dispositivo igualmente inclui um acréscimo 64 bytes de EEPROM para a identificaço ou o seguimento de dispositivo.

 

2. Configurações de Pin

 Nome de Pin       Funço
  A0 - A12   Endereços
  CE   A microplaqueta permite
  OE   A saída permite
  NÓS   Escreva permitem
  I/O0 - I/O7   Entradas de dados/saídas
  NC   Nenhum conecte
  C.C.   No conecte

 

  2,1 28 conduzem PDIP, 28 opinio superior da ligaço SOIC

 

 

  2,2 32 conduzem a opinio superior de PLCC

 

   Nota: Os pinos 1 e 17 do pacote de PLCC so no conectam.

 

  2,3 28 conduzem a opinio superior de TSOP

 

3. Diagrama de bloco

4. Ratings* máximo absoluto

                                                                                                         

Temperatura sob a polarizaço ................................ -55°C a +125°C

 

Temperatura de armazenamento ..................................... -65°C a +150°C

 

Todas as tensões de entrada

(incluindo os pinos do NC)

no que diz respeito terra ................................... - 0.6V a +6.25V

 

Todas as tensões da saída

no que diz respeito terra ............................. - 0.6V a VCC + 0.6V

 

Tenso em OE e no A9

no que diz respeito terra ................................... - 0.6V a +13.5V

                                                                                                          

*NOTICE: Os esforços além daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operaço funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições além daqueles indicados nas seções operacionais desta especificaço no é implicada. A exposiço s condições da avaliaço máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo

 

 

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