GaAs Ired & foto - transistor, controlador programável TLP504A-2

Número de modelo:TLP504A-2
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:4800pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor de TOSHIBA

TLP504A, TLP504A−2

 

C.A. dos controladores programáveis/relé de circuito integrado módulo de DC−Input

 

TOSHIBA TLP504A e TLP504A−2 consiste em um photo−transistor acoplado opticamente a um diodo emitindo-se infravermelho do arsenieto de gálio.

As ofertas dois de TLP504A isolaram os canais em um pacote plástico do MERGULHO de oito ligações, quando o TLP504A−2 fornecer quatro canais isolados em um pacote do MERGULHO de dezesseis plásticos.

 

• Tenso de Collector−emitter: 55 V (mínimos)

• Relaço de transferência atual: grau GB de 50% (Min.): 100% (Min.)

• Tenso do isolamento: 2500 Vrms (mínimo)

• UL reconhecido: UL1577,

                           Arquivo no E67349

 

 

Configurações de Pin (vista superior)

 

Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C)

         Característico  Símbolo                       Avaliaço  Unidade
   TLP504A   TLP504A−2
 Diodo emissor de luz Corrente dianteira   MIMF      60       50  miliampère
 Corrente dianteira que derating ΔIF/°C −0.7 (≥ de Ta 39°C) −0.5 (≥ de Ta 25°C) miliampère/°C
 O pulso envia a corrente  MIMFP           1 (100μs pulso, 100pps)  A
 Tenso reversa  VR                            5  V
 Temperatura de junço  Tj                          125 °C
Detector Tenso de Collector−emitter VCEO                           55  V
 Tenso de Emitter−collector VECO                            7  V
 Corrente de coletor   MIMC                           50 miliampère
 Dissipaço de poder do coletor (1 circuito)  PC      150      100 mW

 Derating da dissipaço de poder do coletor

 (1 ≥ do circuito Ta 25°C)

 ΔPC/°C     -1,5      -1,0mW/°C
 Temperatura de junço  Tj                        125  °C
  Variaço da temperatura do armazenamento  Stgde T                     −55~150  °C
  Variaço da temperatura de funcionamento  Oprde T                     −55~100  °C
  Temperatura de solda da ligaço  Solenoidede T                    260 (10 s)  °C
  Dissipaço de poder total do pacote  RT      250       150  mW

  Derating total da dissipaço de poder do pacote

  (≥ de Ta 25°C)

 ΔPT/°C     -2,5       -1,5mW/°C
  Tenso do isolamento  BVS

 2500 (C.A., 1min., R.H.≤ 60%)

 (Nota 1)

 Vrms

Nota: Usar-se continuamente sob cargas pesadas (por exemplo a aplicaço de alta temperatura/corrente/tenso e da mudança significativa na temperatura, etc.) pode fazer com que este produto diminua na confiança significativamente mesmo se as condições operacionais (isto é temperatura de funcionamento/corrente/tenso, etc.) esto dentro das avaliações máximas absolutas.

Projete por favor a confiança apropriada em cima de rever o manual da confiança do semicondutor de Toshiba (“segurando” das precauções/“que Derating o conceito e os métodos ") e os dados de confiança individuais (isto é relatório de teste da confiança e taxa de falhas, etc. calculados).

 

Nota 1: O dispositivo considerou uns dois dispositivo terminal: O diodo emissor de luz toma partido os pinos shorted junto e os pinos laterais do detector shorted junto.

 

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GaAs Ired & foto - transistor, controlador programável TLP504A-2

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