SILICONE do CIRCUITO INTEGRADO de TOSHIBA CMOS DIGITAL da microplaqueta do circuito integrado de TMPN3150B1AFG MONOLÍTICO

Número de modelo:TMPN3150B1AFG
Lugar de origem:Filipinas
Quantidade de ordem mínima:20
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:20000
Tempo de entrega:1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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SILICONE DO CIRCUITO INTEGRADO DE TOSHIBA CMOS DIGITAL MONOLÍTICO

TMPN3150B1AFG

 

 

O TMPN3150B1AFG é uma microplaqueta do neurônio que configure nós de LONWORKS em combinaço com a memória externo. As microplaquetas do neurônio têm todas as comunicações e funções de controle incorporados exigidas para executar nós de LONWORKS. Estes nós podem ento facilmente ser integrados em redes distribuídas altamente confiáveis do controle inteligente. As funções típicas para esta microplaqueta so explicadas abaixo.

 

 

CARACTERIZA funções mim de z/O • Onze pinos programáveis de I/O. • • • • • • • • • Dois temporizadores e contadores de 16 bits programáveis construídos dentro. 34 tipos diferentes de I/O funcionam para segurar uma vasta gama de entrada e de saída. Imagem dos firmware da ROM que contém os motoristas pre-programados de I/O, simplificando extremamente programas aplicativos. (Armazenado na ROM externo) a rede de z funciona dois processadores centrais para o processamento do protocolo de comunicaço construído dentro. Os processadores centrais das comunicações e da aplicaço executam paralelamente. Equipado com um protocolo incorporado de LonTalk que suporte todos os sete níveis do OSI Reference Model com ISO. O protocolo de comunicaço altamente confiável é fornecido como firmware. Transceptor incorporado do fio do twisted pair equipado com os modos das comunicações e velocidades de uma comunicaço que suportam vários tipos de transceptores externos. Suporta o fio do twisted pair, a linha elétrica, o rádio (RF), o infravermelho, cabos coaxiais e fibras óticas. Modos do transceptor do porto de comunicaço e endereços lógicos armazenados dentro do EEPROM. Pode ser alterado através da rede.

 

 

ARTIGO SÍMBOLO MINUTO TIPO. MaxUNIDADE
Tenso de funcionamento VDD 4,5 5,0 5,5 V
Tenso de entrada (TTL)VIH (1) 2,0 VDD V
V IL (1) VSS 0,8 V
Tenso de entrada (CMOS)V IH (2) VDD-0.8- VDD V
V IL (2) VSS -0,8V

 

 

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