Transistor de efeito de campo do modo do realce do nível da lógica do P-canal do transistor de poder de NDS356AP

Número de modelo:NDS356AP
Lugar de origem:Filipinas
Quantidade de ordem mínima:20
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:20000
Tempo de entrega:1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Transistor de efeito de campo do modo do realce do nível da lógica do P-canal de NDS356AP


Descriço geral

Os transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do nível da lógica do P-canal SuperSOTTM-3 so produzidos usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Este processo muito high-density é costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado. Estes dispositivos so seridos particularmente para aplicações da baixa tenso tais como a gesto do poder do laptop, a eletrônica portátil, e outros circuitos a pilhas onde o interruptor rápido do alto-lado, e a baixa em-linha perda de poder so precisados em um pacote muito pequeno da montagem da superfície do esboço.

 

Características

►-1.1 A, -30 V, RDS (SOBRE) = 0,3 W @ VGS=-4.5 V

                      RDS (SOBRE) = 0,2 W @ VGS=-10 V.

pacote padro ►Industry da montagem da superfície do esboço SOT-23

usando o projeto SuperSOTTM-3 proprietário para o thermal superior

e capacidades elétricas.

Projeto high-density da pilha do ► para extremamente - o baixo RDS (SOBRE).

em-resistência do ►Exceptional e capacidade da corrente da C.C. do máximo.

 

Avaliações máximas absolutas Ta = 25°C salvo disposiço em contrário

Símbolo Parmetro NDS356APUnidades
VDSS Tenso da Dreno-fonte-30 V
VGSS Tenso da Porta-fonte - contínua ±20 V
IdentificaçoCorrente máxima do dreno - contínua±1.1 A
PaládioDissipaço de poder máxima0,5 W
TJ, TSTGFuncionamento e variaço da temperatura do armazenamento-55 a 150 °C

China Transistor de efeito de campo do modo do realce do nível da lógica do P-canal do transistor de poder de NDS356AP supplier

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