Microplaqueta do circuito integrado de AT45DB041B-CU 4 megabits 2,5 volts ou 2,7 volts DataFlash

Número de modelo:AT45DB041B-CU
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:4800pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

 

4-megabit 2,5 volts ou 2,7 volts DataFlash AT45DB041B

 

Características

• Único 2.5V - 3.6V ou 2.7V - fonte 3.6V

• Relaço periférica de série (SPI) compatível

• 20 megahertz de frequência de pulso de disparo máxima

• Operaço do programa da página

    – O único ciclo Reprogram (Erase e o programa)

    – 264 bytes/página) memória central de 2048 páginas (

• Os apoios paginam e obstruem operações do Erase

• Dois 264 amortecedores de dados de SRAM do byte

    – Permite a recepço dos dados ao Reprogramming a disposiço da memória Flash

• Capacidade lida contínua com a disposiço inteira

    – Ideal para o código que sombreia aplicações

• Dissipaço de baixa potência

    – o Active de 4 miliampère leu a corrente típica

    – corrente espera do CMOS de 2 µA típica

• Característica de proteço de dados do hardware

• entradas 5.0V-tolerant: Pinos do SI, do SCK, do CS, da RESTAURAÇO, e do WP

• Variações da temperatura comerciais e industriais

• Opções do pacote do verde (Pb/Halide-free/RoHS complacente)

 

Descriço

O AT45DB041B é uma memória Flash compatível da relaço de série de SPI serida idealmente para uma grande variedade de voz digital, de imagem, de código do programa e de aplicações do armazenamento de dados. Seus 4.325.376 bocados da memória so organizados como 2048 páginas de 264 bytes cada um. Além do que a memória central, o AT45DB041B igualmente contém dois amortecedores de dados de 264 bytes cada um de SRAM.

 

Os amortecedores permitem a recepço dos dados quando uma página na memória central reprogrammed, assim como a leitura ou a escrita de um córrego de dados contínuos. A emulation de EEPROM (mutabilidade do bocado ou do byte) é segurada facilmente com uma operaço independente do read-ModifyWrite de três etapas. Ao contrário das memórias Flash convencionais que so alcançadas aleatoriamente com linhas múltiplas do endereço e uma relaço paralela, o DataFlash usa uma relaço de série de SPI para alcançar sequencialmente seus dados. DataFlash apoia o modo 0 de SPI e o modo 3. A relaço de série simples facilita a disposiço do hardware, aumenta a confiança de sistema, minimiza o ruído do interruptor, e reduz o tamanho do pacote e a contagem de pino ativa. O dispositivo é aperfeiçoado para o uso em muitas aplicações comerciais e industriais onde high-density, baixa contagem de pino, baixa tenso, e a baixa potência é essencial. O dispositivo opera em frequências de pulso de disparo até 20 megahertz com active típico um consumo atual lido de 4 miliampères.

 

Para permitir o reprogrammability simples do em-sistema, o AT45DB041B no exige altas tensões da entrada programando. O dispositivo opera-se de uma única fonte de alimentaço, de 2.5V a 3.6V ou de 2.7V a 3.6V, para ambo o programa e operações lidas. O AT45DB041B é permitido através do pino seleto da microplaqueta (CS) e alcançado através de uma relaço threewire que consiste na entrada de série (SI), na saída de série (SO), e no pulso de disparo de série (SCK).

 

Todos os ciclos de programaço so auto-programados, e nenhum ciclo separado do erase é exigido antes de programar.

 

 

Ratings* máximo absoluto

Temperatura sob a polarizaço ................................ -55°C a +125°C

Temperatura de armazenamento ..................................... -65°C a +150°C

Todas as tensões de entrada

(incluindo os pinos do NC)

no que diz respeito terra ................................... - 0.6V a +6.25V

Todas as tensões da saída

no que diz respeito terra ............................. - 0.6V a VCC + 0.6V

                                                                                                                 

*NOTICE: Os esforços além daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operaço funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições além daqueles indicados nas seções operacionais desta especificaço no é implicada. A exposiço s condições da avaliaço máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.

 

 

Diagrama de bloco

 

 

 

 

China Microplaqueta do circuito integrado de AT45DB041B-CU 4 megabits 2,5 volts ou 2,7 volts DataFlash supplier

Microplaqueta do circuito integrado de AT45DB041B-CU 4 megabits 2,5 volts ou 2,7 volts DataFlash

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