Módulo 600V do Mosfet do poder de FGH60N60SFD, parada de campo 60A IGBT

Número de modelo:FGH60N60SFD
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:Negociar
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

 

FGH60N60SFD

600V, parada de campo 60A IGBT

 

Características

• Capacidade atual alta

• Baixa tenso de saturaço: VCE (sentado) =2.3V @ IC = 60A

• Impedncia alta da entrada

• Interruptor rápido

• RoHS complacente

 

Aplicações

• Aquecimento de induço, UPS, SMPS, PFC

 

Descriço geral

Usando a tecnologia nova da parada de campo IGBT, a nova série de Fairchild de parada de campo IGBTs oferece o desempenho o melhor para as aplicações do aquecimento de induço, do UPS, do SMPS e do PFC onde a baixas conduço e perdas do interruptor so essenciais.

 

Avaliações máximas absolutas

SímboloDescriçoAvaliaçõesUnidades
VCESColetor tenso do emissor600V
VGESPorta tenso do emissor± 20V
MIMCCorrente de coletor @ TC = 25℃120A
Corrente de coletor @ TC = 100℃60A
MIMCM(1)Corrente de coletor pulsada @ TC = 25℃180A
PDDissipaço de poder máxima @ TC = 25℃378W
Dissipaço de poder máxima @ TC = 100℃151W
TJTemperatura de junço de funcionamento-55 a +150
Stgde TVariaço da temperatura do armazenamento-55 a +150
TLTemp máximo da ligaço. para finalidades de solda, 1/8" do argumento por 5 segundos300

Notas: 1: Teste repetitivo, largura de pulso limitada pela temperatura máxima do juntion

 

 

Dimensões mecnicas

 

TO-247AB (CÓDIGO 001 DO PACOTE DE FKS)

 

 

China Módulo 600V do Mosfet do poder de FGH60N60SFD, parada de campo 60A IGBT supplier

Módulo 600V do Mosfet do poder de FGH60N60SFD, parada de campo 60A IGBT

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