SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

Número de modelo:SI2301CDS-T1-E3
Lugar de origem:Filipinas
Quantidade de ordem mínima:20
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:20000
Tempo de entrega:1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

MOSFET do P-canal 20-V (D-S)


CARACTERÍSTICAS

• opço Halogênio-livre disponível

• MOSFET do poder de TrenchFET®

 

APLICAÇÕES

• Interruptor da carga

 

SUMÁRIO DO PRODUTO DO MOSFET
VDS (V) RDS(sobre) (Ω)MimD (A)Qg (tipo.)
- 200,112 em VGS = - 4,5 V- 3,13,3 nC
0,142 em VGS = - 2,5 V- 2,7

 

 

°C TÍPICO das CARACTERÍSTICAS 25, salvo disposiço em contrário

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