A TENSÃO do transistor do Mosfet do poder de MLP1N06CLG APERTOU o mosfe de LIMITAÇÃO ATUAL do poder do rf dos transistor do mosfet do poder superior do MOSFET

MOSFET limitado internamente apertado, atual do poder do nível da lógica do N-canal

  Estes dispositivos de SMARTDISCRETES caracterizam a corrente que limita para breve - a proteço de circuito, uma braçadeira integral da porta--fonte para a proteço do ESD e a braçadeira do porta--dreno para a proteço da sobretenso. Nenhuma resistência de série adicional da porta é exigida quando conectar saída de um MCU, mas a um resistor do pulldown da porta de 40 kΩ é recomendado evitar uma condiço de flutuaço da porta.

   As braçadeiras internas da porta--fonte e do porta--dreno permitem que os dispositivos sejam aplicados sem uso de componentes transientes externos da supresso. Porta- braçadeira da fonte protege o MOSFET entrado dos esforços de tenso eletrostáticos da porta até 2,0 quilovolts. A braçadeira do porta--dreno protege o MOSFET escoa os esforços da avalancha do dreno que ocorrem com cargas indutivas. Este projeto original fornece o aperto da tenso que é essencialmente independente da temperatura de funcionamento.

• A braçadeira compensada temperatura do Porta--dreno limita o esforço de tenso aplicado ao dispositivo e protege a carga da sobretenso

• Proteço integrada do diodo do ESD

• O interruptor controlado minimiza o IRF

• A baixa tenso do ponto inicial permite cargas de conexo do poder aos microprocessadores

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE

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