HY6264ALP-10 8 o circuito integrado dos dispositivos eletrónicos e dos circuitos integrados da microplaqueta do pino CI lasca x8 SRAM

Série 8Kx8bit CMOS SRAM de HY6264A

DESCRIÇO

O HY6264A é um de alta velocidade, uma baixa potência e um 8,192x8-bits CMOS RAM estático fabricado usando a tecnologia de processamento do CMOS da cuba do gêmeo do elevado desempenho de Hyundai. Este processo alto acoplado com técnicas de projeto inovativas do circuito, tempo de acesso da confiança máximo dos rendimentos de 70ns. O HY6264A tem um modo da retenço dos dados que garanta dados para permanecer válido na tenso de fonte de alimentaço mínima de 2,0 volts. Usando a tecnologia do CMOS, a tenso de fonte de 2,0 a 5,5 volts tem pouco efeito na corrente da fonte no modo da retenço dos dados. Reduzir a tenso de fonte para minimizar o dreno atual é desnecessária para a série de HY6264A.

CARACTERÍSTICAS

· Saídas inteiramente estáticas da operaço e do Tri estado

· Entradas e saídas compatíveis de TTL

· Consumo da baixa potência

· Backup de bateria (L/LL-part)

  retenço (mínima) dos dados de -2.0V

· Configuraço de pino padro

  -28 pino 600 mil. PDIP

  -28 pino uma CONCESSO de 330 mil.

AVALIAÇO MÁXIMA ABSOLUTA ⁽¹⁾

A nota 1. força maior do que aquelas alistadas sob AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é esforço que avalia somente e a operaço funcional do dispositivo sob estes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados na operaço desta especificaço no é implicada. A exposiço s condições da avaliaço máxima absoluta por um longo período pode afetar a confiança.

INFORMAÇO PEDINDO

  DIAGRAMA DE BLOCO DA CONEXO DE PIN

INFORMAÇO DO PACOTE

28pin 600mil Dual Em-linha pacote (P)

pacote pequeno do esboço de 28pin 330mil (J)

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