Os transistor do mosfet do poder superior RFP70N06 põem MOSFETs do poder do N-canal do transistor do Mosfet

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohms, MOSFETs do poder do N-canal

Estes so MOSFETs do poder do N-canal fabricados usando o processo de MegaFET. Este processo, que usa os tamanhos de característica que aproximam aqueles de circuitos de LSI, dá a utilizaço a melhor do silicone, tendo por resultado o desempenho proeminente. Foram projetados para o uso nas aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores do interruptor, motoristas do motor e motoristas do relé. Estes transistor podem ser operados diretamente dos circuitos integrados.

Tipo anteriormente desenvolvente TA49007.

Características

• 70A, 60V

• RDS (sobre) = 0.014Ω

• Modelo compensado temperatura de PSPICE®

• Corrente máxima contra a curva da largura de pulso

• Curva da avaliaço de UIS (único pulso)

• temperatura de funcionamento 175oC

• Literatura relacionada

  - TB334 “diretrizes para componentes de superfície de solda da montagem s placas de PC”

Avaliações máximas absolutas TC = 25℃, salvo disposiço em contrário

CUIDADO: Os esforços acima daqueles alistados “em avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operaço do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificaço no é implicada.

NOTA: 1. TJ = 25oC a 150℃

Símbolo

Empacotamento

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