Os microchip E28F128J3A-150 e o circuito integrado dos circuitos integrados lascam a memória de Intel StrataFlash de 3 volts

Memória de um Intel® StrataFlash™ de 3 volts

28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A (x8/x16)

Características do produto

Arquitetura Simétrico-obstruída high-density do ■

    — 128 blocos do Erase 128-Kbyte (128 M)

    — 64 blocos do Erase 128-Kbyte (64 M)

    — 32 blocos do Erase 128-Kbyte (32 M)

O modo de página assíncrono da relaço do elevado desempenho do ■ lê

    — 110/25 de tempo de acesso lido do ns (32 M)

    — 120/25 de tempo de acesso lido do ns (64 M)

    — 150/25 de tempo de acesso lido do ns (128 M)

operaço VCC do ■ 2,7 V-3.6 V

registro da proteço do bocado do ■ 128

    — identificador de dispositivo original 64-bit

    — pilhas programáveis do usuário 64-bit OTP

O ■ aumentou a proteço absoluta das características de proteço de dados com VPEN = terra

    — Travamento flexível do bloco

    — Erase do bloco/fechamento do programa durante transições do poder

Empacotamento do ■

    — pacote de 56-Lead TSOP

    — pacote fácil de 64-Ball Intel® BGA

Grupo Cruz-compatível do comando básico de Intel do apoio do comando do ■

    — Relaço instantnea comum

    — Grupo evolutivo do comando

o ■ 32-Byte escreve o amortecedor

    — 6 µs pelo tempo de programaço eficaz do byte

■ 12.8M Mínimo total Apagamento Ciclo (128 Mbit)

   6.4M Mínimo total Apagamento Ciclo (64 Mbit)

   3.2M Mínimo total Apagamento Ciclo (32 Mbit)

    — ciclos mínimos do Erase 100K pelo bloco

A automatizaço do ■ suspende opções

    — O Erase do bloco suspende para ler

    — O Erase do bloco suspende para programar

    — O programa suspende para ler

tecnologia de memória de Intel® StrataFlash™ do µ do ■ 0,25

Capitalizando tecnologias da dois-bocado-por-pilha da geraço do µ de Intel em 0,25, os produtos de memória de Intel® StrataFlash™ da segunda geraço fornecem 2X os bocados em 1X o espaço, as características novas para o desempenho do grosso da populaço. Oferecido em 128-Mbit (16-Mbyte), as densidades 64-Mbit, e 32-Mbit, estes dispositivos trazem segura, tecnologia de armazenamento da dois-bocado-por-pilha ao segmento de mercado instantneo.

Os benefícios incluem: mais densidade em menos espaço, relaço de alta velocidade, mais baixos custo-por-bocado NEM dispositivos, apoio para o armazenamento de dados do código e, e migraço fácil aos dispositivos futuros.

Usando a mesma tecnologia Nem-baseada de ETOX™ que produtos da um-bocado-por-pilha de Intel, os dispositivos de memória de Intel StrataFlash aproveitam-se sobre um bilho unidades de experiência da fabricaço desde 1987. Em consequência, os componentes de Intel StrataFlash so ideais para as aplicações do código e dos dados onde o custo high-density e baixo é exigido. Os exemplos incluem trabalhos em rede, telecomunicações, caixas superiores ajustadas digitais, a gravaço audio, e a imagem digital.

Aplicando pinouts da família da memória de FlashFile™, os componentes de memória de Intel StrataFlash permitem migrações fáceis do projeto de memória Palavra-larga existente de FlashFile (28F160S3 e 28F320S3), e dispositivos da memória de Intel StrataFlash da primeira geraço (28F640J5 e 28F320J5).

Os componentes de memória de Intel StrataFlash entregam uma nova geraço de software support dianteiro-compatível. Usando a relaço instantnea comum (CFI) e o comando evolutivo (SCS) ajustado, os clientes podem aproveitar-se de elevações da densidade e aperfeiçoado escreva capacidades dos dispositivos de memória futuros de Intel StrataFlash.

Fabricado em Intel® uma tecnologia de processamento de 0,25 mícrons ETOX™ VI, a memória de Intel StrataFlash fornece os níveis de qualidade os mais altos e de confiança.

Avaliações máximas absolutas

NOTAS:

1. Todas as tensões especificadas so no que diz respeito terra. A tenso de C.C. mínima é – 0,5 V nos pinos do entrada/saída e – 0,2 V nos pinos de VCC e de VPEN. Durante transições, este nível pode undershoot – 2,0 V por períodos <20 ns="">

2. Saída shorted para no mais de um segundo. No mais de um output shorted em um momento.

Diagrama de bloco da memória de um Intel® StrataFlash™ de 3 volts

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