Microcontroladores do flash de USB da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador de NGD8201NG

NGD8201NG Rectificador Diodo Circuito Integrado Chip USB Flash Microcontroladores

NGD8201NG

Igniço IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAK

Este transistor bipolar da porta isolada nível da lógica (IGBT) caracteriza circuitos monolíticos que integram ESD e proteço travada da sobretenso para o uso em aplicações indutoras dos excitadores da bobina. As principais utilizações incluem Igniço, Injecço Directa de Combustível ou onde quer que sejam necessárias ligações de alta e alta tenso.

Características

• Ideal para Aplicações de Coil-on-Plug e Driver-on-Coil

• Pacote DPAK oferece menor pegada para maior espaço na placa

• Proteço ESD para gate-emissor

• Temperatura Compensada Valores de Grampo da Tenso do Coletor de Porta Estresse Aplicado Carga

• Proteço Integrada de Diodo ESD

• Tenso de Limiar Baixa para Interfazer Cargas de Potência a Dispositivos de Lógica ou Microprocessador

• Baixa Tenso de Saturaço

• Alta Capacidade de Corrente Pulsada

• Resistor de Porta Opcional (RG) e Resistência Gate-Emitter (RGE)

Aplicações

• Sistemas de Igniço

CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS (TJ = 25 ° C, salvo indicaço em contrário)

Classificaço Símbolo Valor Unidade Coletor-Emissor Voltagem VCES 440 V

Voltagem Coletor-Porto VCER 440 V

Voltagem gate-emissor VGE 15 V

Coletor Corrente Contínua @ TC = 25 ° C - IC Pulsado 50

ADC AAC Corrente de porto contínua IG 1.0 mA

Corrente de Porto Transiente (t ≤ 2 ms, f ≤ 100 Hz) IG 20 mA

ESD (modelo de dispositivo carregado) ESD 2.0 kV

ESD (Modelo do Corpo Humano) R = 1500,

C = 100 pF ESD 8,0 kV ESD (modelo de máquina) R = 0, C = 200 pF

ESD 500 V Dissipaço de energia total @ TC = 25 ° C

Derate acima de 25 ° C PD 125 0,83 WW / ° C

Faixa de temperatura de operaço e armazenamento TJ, Tstg -55 a +175 ° C

Uma parte da lista de ações

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