Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, transistor de poder complementares de Darlington

Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, transistor de poder complementares de Darlington

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

Transistor de poder complementares de Darlington

DPAK para as aplicações de superfície da montagem

TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE

2 AMPÈRES

100 VOLTS

20 WATTS

Projetado para o poder e o interruptor de uso geral tal como fases da saída ou de motorista nas aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores, e amplificadores de potência.

Características

• Os pacotes de Pb−Free esto disponíveis

• Ligaço formada para as aplicações de superfície da montagem nas luvas plásticas (nenhum sufixo)

• Verso reta da ligaço nas luvas plásticas (sufixo “−1”)

• Conduza a verso formada na fita de 16 milímetros e no carretel (“T4” e o sufixo de “RL”)

• Eletricamente similar série TIP31 e TIP32 popular

AVALIAÇÕES MÁXIMAS

As avaliações máximas so aqueles valores além de que dano do dispositivo pode ocorrer. As avaliações máximas aplicadas ao dispositivo so valores de limite individuais do esforço (condições operacionais no normais) e so inválidas simultaneamente. Se estes limites so excedidos, a operaço funcional do dispositivo no está implicada, dano pode ocorrer e a confiança pode ser afetada.

DIAGRAMAS DA MARCAÇO

DIMENSÕES DO PACOTE

DPAK

CASO 369C

EDIÇO O

DPAK−3

CASO 369D−01

EDIÇO B

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