Transistor de uso geral de alta tensão do npn do silicone construído no diodo mais úmido, 2SD1290

Número de modelo:2SD1290
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8000
Tempo de entrega:dia 1
Contate

Add to Cart

Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

 

Transistor de uso geral de alta tenso 2SD1290 do npn do silicone construído no diodo mais úmido

 

DESCRIÇO

·Com pacote de TO-3PN

·Diodo incorporado do amortecedor

·Alta tenso, confiança alta

·Vasta área da operaço segura

 

APLICAÇÕES

·Para a deflexo horizontal da tevê da cor

  aplicações da saída

 

FIXAR

      PIN      DESCRIÇO
       1    Base
       2

    Coletor; conectado a montar a base

       3    Emissor

 

 

 

Avaliações máximas absolutas (Ta=25℃)

 SÍMBOLO       PARMETRO           CIRCUNSTNCIAS   VALOR   UNIDADE
   VCBO  tenso da Coletor-base   Abra o emissor   1500     V
   VEBO  tenso da Emissor-base   Abra o coletor     5     V
    MIMC  Corrente de coletor (C.C.)      3     A
    MIMCM  Corrente de coletor (pulso)     10     A
    PC  Dissipaço de poder do coletor   TC=25℃     50     W
    Tj  Temperatura de junço     130     ℃
    Stgde T  Temperatura de armazenamento   -55~130     ℃

 

 

CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo disposiço em contrário

 SÍMBOLO         PARMETRO        CIRCUNSTNCIAS  MÍNIMO.  TIPO.  MÁXIMO.  UNIDADE
 V(BR)EBO tenso de diviso da Emissor-base ISTO É =500mA; MIMC=0    5      V
 VCEsat tenso de saturaço do Coletor-emissor MIMC=2A; MIMB=0.75A      5,0    V
 VBEsat Tenso de saturaço do emissor de base MIMC=2A; MIMB=0.75A       1,5    V
 MIMCBO Corrente de interrupço de coletor

 VCB=750V; ISTO É =0

 VCB=1500V; ISTO É =0

  

     50

      1

   μA

   miliampère

 FEde h Ganho atual de C.C. MIMC=2A; VCE=10V     3       8 
 ts Tempo de armazenamentoMIMC=2A mimLeak=0.75A, LB=5μH     3       7    μs
 tf Tempo de queda        1    μs
 VF Tenso dianteira do diodo MIMF=-4A, IB=0       2,2     V

 

 

ESBOÇO DO PACOTE

 

China Transistor de uso geral de alta tensão do npn do silicone construído no diodo mais úmido, 2SD1290 supplier

Transistor de uso geral de alta tensão do npn do silicone construído no diodo mais úmido, 2SD1290

Inquiry Cart 0