A placa de circuito dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B lasca o componente eletrônico
Número de modelo:SST25VF016B-50-4I-S2AF
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:5 Pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10000pcs/day
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes:
No 25 Horas
Detalhes do produto
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Detalhes do produto
Diodos do Silicone-poder-Zener 1N5358B
Diodos do Silicone-poder-Zener (tecnologia no-planar)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Z-tenso nominal máxima Nominale Z-Spannung de Maximale
Verlustleistung da dissipaço de poder
O material plástico de Gewicht CA do peso de
Kunststoffgehäuse da capa de plástico aproximadamente tem a
classificaço 94V-0 do UL
Empacotamento do padro do klassifiziert de Gehäusematerial
UL94V-0 gravado no gegurtet padro de Lieferform do bloco da
muniço no Muniço-bloco
A tolerncia padro da tenso de Zener é ±5%). Outras tolerncias da
tenso e mais altas tensões de Zener a pedido.
Morrem as ISTs de Zener-Spannung do der de Toleranz no
padro-Ausfhrung ±5% do der. Höhere de Andere Toleranzen oder
Auf Anfrage de Arbeitsspannungen.
Dissipaço de poder Verlustleistung | Ptot | 5 W 1) |
Dissipaço de poder máximo no repetitiva, t < 10="" ms=""> Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms=""> | PZSM | 80 W |
Temperatura de junço de funcionamento – Sperrschichttemperatur Temperatura de armazenamento – Lagerungstemperatur | Tj TS | -50… +150°C -50… +175°C |
Junço da resistência térmica ao ar ambiental Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft | RthA | < 25="" K=""> |
Junço da resistência térmica ao terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss | RthL | <8 K=""> |
A placa de circuito dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B lasca o componente eletrônico
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