A microplaqueta do circuito integrado 74HC20D, Dual 4 componentes eletrônicos entrados de IC da porta de NAND

Número de modelo:74HC20D
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8300pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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A microplaqueta do circuito integrado 74HC20D, Dual 4 componentes eletrônicos entrados de IC da porta de NAND

 

Dual a porta de NAND entrada 4 74HC/HCT20

 

CARACTERÍSTICAS

• Capacidade da saída: padro

• Mim categoria docentímetro cúbico: SSI

 

DESCRIÇO GERAL

Os 74HC/HCT20 so dispositivos de alta velocidade do CMOS da Si-porta e so pino compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). So especificados em conformidade com o padro no 7A de JEDEC. Os 74HC/HCT20 fornecem a funço entrada 4 do NAND.

 

DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDA

TERRA = 0 V; Ambde T = °C 25; tr = tf = 6 ns

SÍMBOLOPARMETROCIRCUNSTNCIASTÍPICOUNIDADE
HCHCT
tPHL/tPLHnA do atraso de propagaço, N.B., nC, nD ao nYCL = 15 PF; VCENTÍMETRO CÚBICO = 5 V813ns
CMIMcapacidade da entrada 3,53,5PF
PALÁDIODE Ccapacidade da dissipaço de poder pelo pacotenotas 1 e 22217PF

Notas

1. Opaládiode C é usado para determinar a dissipaço de poder dinmica (PD no µW):

    Pcentímetro cúbico do × fdo × V dopaládiodeD = de C2mim + ∑ (CLcentímetro cúbico do × fo do × V2) onde:

    fmim = frequência entrada no megahertz

    fo = frequência output no megahertz

    CL = capacidade output da carga no PF

    V tenso docentímetro cúbico = de fonte em V

    ∑ (CLcentímetro cúbico do × fo do × V2) = soma das saídas

2. Para HC a circunstncia é Vmim = terra a Vcentímetro cúbico

    Para HCT a circunstncia é Vmim = terra ao − 1,5 V de Vcentímetro cúbico

 

 

 

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A microplaqueta do circuito integrado 74HC20D, Dual 4 componentes eletrônicos entrados de IC da porta de NAND

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