O módulo de poder do Mosfet BSM50GP120, eletrônica CI de IGBT lasca 0,8 tensões do ponto inicial de V

Número de modelo:BSM50GP120
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:4500PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
HIN202CBN16402INTERSIL16+CONCESSO
HIP0082AB6910INTERSIL16+HSOP
HIP4082IP3469INTERSIL15+DIP-16
HIP4082IPZ7664NTERSIL16+DIP-16
HJR-3FF-S-Z-24VDC9641TIANBO13+MERGULHO
HJR-3FF-S-Z-5VDC12765TIANBO16+MERGULHO
HK160882NJ-T20000TAIYO16+SMD
HK1608R47J-T20000TAIYO15+SMD
HM6264ALFP-10T3440HITACHI16+SOP-28
HMA121CR3V15758FAIRCHILD09+SOP-4
HMC241QS16ETR6244HITTITE15+SSOP-16
HMC311SC70E1242HITTITE14+SC70-6
HMC336MS8GE2565HITTITE13+MSOP-8
HMC336MS8GETR8737HITTITE07+MSOP
HMC349AMS8GE4906HITTITE16+MSOP-8
HMC362S8G1795HITTITE12+SOP-8
HMC429LP4ETR1093HITTITE15+HCP-16
HMC476MP86E2596HITTITE15+SOT-86
HMC539LP3ETR1984HITTITE12+QFN
HMC618LP3ETR1199HITTITE10+QFN
HN16012CG7669MINGTEK13+SOP-16
HN16613CG9641MINGTEK13+SOP-16
HN16614CG3522MINGTEK16+SOP-16
HR911105A3493HANRUN14+RJ45
HS01G21143EM14+SOP-8
HSMG-C17089000AVAGO07+SMD
HSMH-C17092000AVAGO07+SMD0805R
HSMM-A100-S00J126000AVAGO14+SMD
HSMP-3816-TR1G5933AVAGO15+SOT23-5
HSMS-2820-TR1G36000ACVAGO13+SOT-23

 

 

IGBT-módulo BSM50GP120

 

Propriedades elétricas

 

Valores avaliados do máximo

Retificador de diodo

tenso reversa máxima repetitiva VRRM1600V
Corrente dianteira do RMS pela microplaqueta MIMFRMSM40A
A C.C. envia a correnteTC = 80°CMimd50A
o impulso envia a corrente

tP = 10 Senhora, vjde T = 25°C

tP = 10 Senhora, vjde T = 150°C

MIMFSM

500

400

A
Mim 2 t - valor

tP = 10 Senhora, vjde T = 25°C

tP = 10 Senhora, vjde T = 150°C

Mim 2 t

1250

800

Uns2 s

 

Esquema de circuito

 

Esboços do pacote

 

 

 

China O módulo de poder do Mosfet BSM50GP120, eletrônica CI de IGBT lasca 0,8 tensões do ponto inicial de V supplier

O módulo de poder do Mosfet BSM50GP120, eletrônica CI de IGBT lasca 0,8 tensões do ponto inicial de V

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