TRANSISTOR de PODER do SILICONE do transistor do Mosfet do poder 2SA1412

Número de modelo:2SA1412
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7900pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
REF5025AIDGKR7693SI15+MSOP-8
REF5025AIDR5866SI16+SOP-8
REG113NA-3/3K6375SI15+SOT23-5
RFANT5220110A2T48000WALSIN16+SMD
RGP02-20E-E3/5482000VISHAY16+DO-41
RHRP306017467FSC14+TO-220
RJH60F7DPQ7148RENESAS13+TO-247
RN1907FE161000TOSHIBA15+SOT-563
RPR-2203874ROHM14+DIP-4
RR264MM-400TR12000ROHM15+SOD-123
RS1J-E3/61T45000VISHAY16+DO-214AC
RS3MB-13-F18000DIODOS16+DO-214AA
RS50788000SETEMBRO16+DIP-4
RSA5MG164000ROHM16+SOD-123
RSX101VA-30TR66000ROHM15+SOD-323
RT3140123836TYCO13+DIP-8
RT7257AHZSP7602RICHTEK14+SOP-8
RT8011APQW20000RICHTEK14+QFN
RT8250GSP19368RICHTEK13+SOP-8
RT8289GSP6446RICHTEK12+SOP-8
RT9161A-33PG40000RICHTEK15+SOT-223
RT9162-33PX66000RICHTEK14+SOT-89
RT9167A-33GB11000RICHTEK13+SOT23-5
RT9167A-50GB23060RICHTEK16+SOT23-5
RT9701PBL90000RICHTEK13+SOT23-5
RT9715EGB67000RICHTEK11+SOT23-5
RTC72421A6330EPSON14+DIP-18
RTD2271CW-CG3861REALTEK12+QFP128
RTL8111F-CG3855REALTEK14+QFN48
RU190N08Q16236RUICHIPS16+TO-247

 

 

TRANSISTOR DE PODER 2SA1412-Z DO SILICONE

TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLICAR-SE DO SILICONE DE PNP

 

DESCRIÇO

O 2SA1412-Z é projetado para o interruptor de alta tenso, especialmente em circuitos integrados híbridos.

 

CARACTERÍSTICAS

• Alta tenso: VCEO = −400 V

• Alta velocidade: μs do ≤ 0,7 do tf

• Complemento a 2SC3631-Z

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA = 25°C)

Coletor tenso baixa VCBO −400 V

Coletor aoCEO −400 Vda tenso V do emissor

Base tenso VEBO −7 V do emissor

Corrente de coletor (C.C.) IC(C.C.) −2.0 A

Nota 1 IC da corrente de coletor (pulso)(pulso) −4.0 A

Dissipaço de poder total (Ta = 25°C) nota 2 P2,0 W

°C da temperatura de junço Tj 150

Stg −55 da temperaturade armazenamento T ao °C +150

                                                                                                                                                    

Notas Senhora do ≤ 10 de 1. picowatts, ≤ 50% do ciclo de dever

            2. Quando montado em uma carcaça cermica de 7,5 cm2 de × 0,7 milímetros  

 

DESENHO do PACOTE (unidade: milímetro)

 

 

 

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TRANSISTOR de PODER do SILICONE do transistor do Mosfet do poder 2SA1412

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