FM25V02-G IC eletrônico lasca a memória de série de 256Kb 3V F-RAM

Número de modelo:FM25V02-G
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7600pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

 

FM25V02

memória de série de 256Kb 3V F-RAM

 

Características

256K bocado RAM permanente Ferroelectric

  • Organizado como 32.768 x 8 bocados
  • O trilho alto da resistência 100 (1014) lido/escreve
  • Retenço de 10 dados do ano
  • NoDelay™ escreve
  • Processo Ferroelectric da Alto-confiança avançada

Relaço periférica de série muito rápida - SPI

  • Até 40 megahertz de frequência
  • Substituiço direta do hardware para o flash de série
  • Modo 0 & 3 de SPI (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)

Escreva o esquema da proteço

  • Proteço do hardware
  • Proteço de software

Identificaço do dispositivo e número de série

  • A identificaço do dispositivo lê para fora a identificaço do fabricante & a identificaço da parte
  • Número de série original (FM25VN02)

Baixa tenso, baixa potência

  • Operaço de baixa tenso 2.0V – 3.6V
  • corrente espera de 90 μA (tipo.)
  • corrente do modo de sono de 5 μA (tipo.)

Configurações do padro do setor

  • Temperatura industrial -40℃ a +85℃
  • pacote de /RoHS SOIC do “verde 8-pin”
  • pacote de /RoHS TDFN do “verde 8-pin”

 

Descriço

O FM25V02 é uma memória permanente de 256 kilobit que emprega um processo ferroelectric avançado. Uma memória de acesso aleatório ou um F-RAM ferroelectric so permanente e executam leem e escrevem como RAM. Fornece a retenço segura dos dados por 10 anos ao eliminar as complexidades, as despesas gerais, e os problemas da confiança do nível de sistema causados pelo flash de série e por outras memórias permanentes.

 

Ao contrário do flash de série, o FM25V02 executa escreve operações na velocidade do ônibus. Nenhum escreva atrasos so incorridos. Os dados esto redigidos disposiço da memória imediatamente depois que foram transferidos ao dispositivo. O ciclo seguinte do ônibus pode começar sem a necessidade para a votaço dos dados. O produto oferece escreve muito altamente a resistência, ordens de grandeza mais resistência do que o flash de série. Também, F-RAM exibe o consumo de uma mais baixa potência do que o flash de série.

 

Estas capacidades fazem o ideal FM25V02 para a exigência das aplicações da memória permanente frequente ou rápido escreve ou operaço da baixa potência. Os exemplos variam do levantamento de dados, de onde o número escreve ciclos pode ser crítico, a exigir os controles industriais onde o longos escrevem a época do flash de série podem causar a perda dos dados.

 

O FM25V02 fornece benefícios substanciais aos usuários do flash de série como uma substituiço da reunio informal do hardware. Os dispositivos usam o ônibus de alta velocidade de SPI, que aumenta o de alta velocidade escreve a capacidade de tecnologia de F-RAM. O FM25VN02 é oferecido com um número de série original que seja de leitura apenas e possa ser usado para identificar uma placa ou um sistema. Ambos os dispositivos incorporam uma identificaço de leitura apenas do dispositivo que permita que o anfitrio determine o fabricante, a densidade do produto, e a reviso do produto. Os dispositivos so garantidos sobre uma variaço da temperatura industrial de -40°C a +85°C.

 

Avaliações máximas absolutas

SímboloDescriçoAvaliações
VDDTenso de fonte de alimentaço no que diz respeito a VSS-1.0V a +4.5V
VDENTROTenso em algum pino no que diz respeito a VSS-1.0V a +4.5V e a V< V=""> EM DD+1.0V
TSTGTemperatura de armazenamento-55°C a + 125°C
LIGAÇODE TSegundos (de solda, 10) da temperatura da ligaço260°C
VESD

Tenso da descarga eletrostática

  - Modelo do corpo humano (AEC-Q100-002 Rev. E)

  - Modelo carregado do dispositivo (AEC-Q100-011 Rev. B)

  - Modelo de máquina (AEC-Q100-003 Rev. E)

 

1kV

1.25kV

200V

 Nível da sensibilidade de umidade do pacoteMSL-1

Os esforços acima daqueles alistados sob avaliações máximas absolutas podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente, e a operaço funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles alistados na seço operacional desta especificaço no é implicada. A exposiço s condições das avaliações máximas absolutas por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.

 

Configuraço de Pin

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
FDN358P58000FAIRCHILD16+SOT-23
FDN5630-NL83000FAIRCHILD16+SOT-23
FDPF14N305507FAIRCHILD09+TO-220F
FDS36725282FAIRCHILD14+SOP-8
FDS4435BZ16331FAIRCHILD15+SOP-8
FDS4935BZ9357FAIRCHILD14+SOP-8
FDS657620788FAIRCHILD13+SOP-8
FDS6681Z6161FAIRCHILD13+SOP-8
FDS6699S20859FAIRCHILD13+SOP-8
FDS897818516FAIRCHILD09+SOP-8
FDS9431A9728FAIRCHILD13+SOP-8
FDS9945-NL9799FAIRCHILD12+SOP-8
FDV301N12000FSC16+SOT23-5
FDV304P86000FAIRCHILD15+SOT-23
FEP16DT8008VISHAY11+TO-220
FEP16GT12410FSC16+TO-220
FERD30M45CT6132ST15+TO-220AB
FES16JT12481VISHAY13+TO-220
FGA25N120ANTD5228FSC15+TO-3P
FGH40N60SMDF5808FAIRCHILD16+TO-247
FGH40N60UFD8213FAIRCHILD15+TO-247
FGH60N60SFD4835FAIRCHILD13+SOP-8
FGH60N60UFD4764FSC16+TO-247
FGL40N120AND7142FAIRCHILD16+TO-264
FJE3303H2TU14485FAIRCHILD07+TO-126
FLZ2V2A20000FSC15+LL34
FLZ3V6A7000FSC12+LL34
FM18W08-SGTR4627CYPRESS11+SOP-28
FM24CL64B-GTR1578CYPRESS16+SOP-8
FM24W256-GTR7533CYPRESS14+SOP-8

 

 

 

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FM25V02-G IC eletrônico lasca a memória de série de 256Kb 3V F-RAM

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