A microplaqueta do circuito integrado de PIC16LF877A-I/PT aumentou microcontroladores instantâneos

PIC16F87XA

28/40/44-Pin aumentou microcontroladores instantneos

Dispositivos incluídos nesta folha de dados:

• PIC16F873A            • PIC16F874A

• PIC16F876A            • PIC16F877A

Processador central de capacidade elevada do RISC:

• Somente 35 instruções da único-palavra para aprender

• Todas as instruções do único-ciclo exceço dos ramos do programa, que so dois-ciclo

• Velocidade de funcionamento: C.C. – 20 megahertz de entrada de pulso de disparo

                               C.C. – ciclo de instruço de 200 ns

• Até 8K x 14 palavras da memória instantnea do programa,

  Até 368 x 8 bytes da memória dos dados (RAM),

  Até 256 x 8 bytes da memória dos dados de EEPROM

• Pinout compatível a outros 28 pinos ou 40/44-pin PIC16CXXX e microcontroladores de PIC16FXXX

Características periféricas:

• Timer0: temporizador/contrário de 8 bits com prescaler de 8 bits

• Timer1: o temporizador/contrário de 16 bits com prescaler, pode ser incrementado durante o sono através do cristal externo/pulso de disparo

• Timer2: temporizador/contrário de 8 bits com registro, prescaler e postscaler de 8 bits do período

• A captaço dois, compara, os módulos de PWM

  - A captaço é definiço de 16 bits, máxima é ns 12,5

  - Compare é definiço de 16 bits, máxima é 200 ns

  - A definiço máxima de PWM é o bocado 10

• Porta de série síncrono (SSP) com SPI™ (modo mestre) e I2C™ (mestre/escravo)

• Transmissor assíncrono síncrono universal do receptor (USART/SCI) com detecço do endereço de bocado 9

• Porto paralelo (PSP) do escravo

  – 8 bocados largamente com controles externos do RD, do WR e do CS (40/44-pin somente)

• Circuitos da detecço da baixa de presso para a restauraço (BOR) da baixa de presso

Características análogas:

• 10 o bocado, até 8 canaliza o conversor analógico-numérico (A/D)

• Restauraço (BOR) da baixa de presso

• Módulo análogo do comparador com:

  - Dois comparadores análogos

  - Módulo programável de (VREF) da referência da tenso da em-microplaqueta

  - Entrada programável que multiplexa das entradas do dispositivo e da referência interna da tenso

  - As saídas do comparador so externamente acessíveis

Características especiais do microcontrolador:

• 100.000 erase/escrevem a memória instantnea aumentada ciclo do programa típica

• 1.000.000 erase/escrevem a memória dos dados EEPROM do ciclo típica

• Retenço dos dados EEPROM > 40 anos

• controle inferior Auto-reprogrammable do software

• Programming™ de série no circuito (ICSP™) através de dois pinos

• programaço de série no circuito da Único-fonte 5V

• Temporizador de co de guarda (WDT) com seu próprio oscilador da em-microplaqueta RC para a operaço segura

• Proteço programável do código

• Modo de sono da economia de poder

• Opções selecionáveis do oscilador

• No circuito elimine erros de (ICD) através de dois pinos

Tecnologia do CMOS:

• Baixa potência, tecnologia de alta velocidade de Flash/EEPROM

• Projeto inteiramente estático

• Escala larga da tenso de funcionamento (2.0V a 5.5V)

• Variações da temperatura comerciais e industriais

• Consumo da baixa potência

† Absolutas máximas das avaliações

Temperatura ambiental sob a polarizaço ........................................................................... - 55 a +125°C

Temperatura de armazenamento ....................................................................................... -65°C a +150°C

Tenso em algum pino no que diz respeito a V_SS (exceto_DDde V, MCLR. e RA4) ....... -0.3V a (V_DD + 0.3V)

Tenso no_DDde V no que diz respeito a V_SS ....................................................................... -0,3 a +7.5V

Tenso em MCLR no que diz respeito a V_SS (nota 2) ............................................................. 0 a +14V

Tenso em RA4 no que diz respeito a Vss .............................................................................. 0 a +8.5V

Dissipaço de poder total (nota 1) .......................................................................................... 1.0W

Corrente máxima fora do pino_de V_SS ....................................................................................... 300 miliampères

Corrente máxima no pino_doDD de V .......................................................................................... 250 miliampères

Corrente da braçadeira da entrada, I_IK (V_MIM< 0="" or="" V=""> _DD de I >_de V) ..................................................................... ± 20 miliampères

Corrente da braçadeira da saída, ±_daAPROVAÇO de I (V< 0="" or="" V=""> _ODD de O > de V) ............................................................. 20 miliampères

Corrente de saída máxima afundada por algum pino do I/O ........................................................................ 25 miliampères

Corrente de saída máxima originária por algum pino do I/O .................................................................. 25 miliampères

Corrente máxima afundada por PORTA, por PORTB e por PORTE (combinados) (nota 3) .................... 200 miliampères

Corrente máxima originária por PORTA, por PORTB e por PORTE (combinados) (nota 3) ............... 200 miliampères

Corrente máxima afundada por PORTC e por PORTD (combinados) (nota 3) ................................. 200 miliampères

Corrente máxima originária por PORTC e por PORTD (combinados) (nota 3) ............................ 200 miliampères

Nota

1: A dissipaço de poder é calculada como segue: _DD x de Pdis = de V {_DDde I - ∑ IOH} + ∑ {(_DDde V - V_OH) x mim_OH} + ∑ (V_Ol x I_OL)

2: Os pontos de tenso abaixo de V_SS no pino de MCLR, induzindo as correntes maior de 80 miliampères, podem causar a trava-acima. Assim, um resistor da série de 50-100Ω deve ser usado ao aplicar um “ponto baixo” em nível ao pino de MCLR um pouco do que puxando este pino diretamente para V_SS.

3: PORTD e PORTE no so executados em dispositivos de PIC16F873A/876A

OBSERVAÇO do †: Os esforços acima daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operaço funcional do dispositivo naquelas ou de nenhuma outra condições acima daquelas indicadas nas listas da operaço desta especificaço no é implicada. A exposiço s condições máximas da avaliaço por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.

Diagramas do Pin

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