24AA1025-I/SM IC programável lasca 1024K I2C™ CMOS EEPROM de série

24AA1025/24LC1025/24FC1025

1024K mim²C™CMOSEEPROMde série

Características:

• Tecnologia do CMOS da baixa potência:

  - ΜA lido da corrente 450, máximo

  - ΜA espera da corrente 5, máximo

• Relaço de série do 2-fio, I²C™compatível

• Até quatro dispositivos Cascadable

• Entradas de disparador de Schmitt para a supresso do ruído

• Controle da inclinaço da saída para eliminar o salto terra

• 100 quilohertz e 400 quilohertz de compatibilidade do pulso de disparo

• Pulso de disparo de 1 megahertz para versões de FC

• A página escreve a Senhora do tempo 3, típica

• O Erase Auto-programado/escreve o ciclo

• a página 128-Byte escreve o amortecedor

• O hardware escreve - proteja

• Proteço >400V do ESD

• Mais de 1 milho Erase/escrevem ciclos

• Anos da retenço >200 dos dados

• Programaço da fábrica disponível

• Os pacotes incluem 8 a ligaço PDIP, SOIJ e SOIC

• Pb-livre e RoHS complacentes

• Variações da temperatura:

  - (i) industrial: -40℃ a +85℃

  - (e) automotivo: -40℃ a +125℃

Descriço:

O Microchip Tecnologia Inc. 24AA1025/24LC1025/24FC1025 (24XX1025*) é de 128K x (bocado 1024K) da série 8 um BAILE DE FINALISTAS apagável eletricamente, capaz da operaço através de uma escala larga da tenso (1.7V a 5.5V). Foi desenvolvido para aplicações avançadas, da baixa potência tais como comunicações pessoais ou por aquisiço de dados. Este dispositivo manda o byte escrever e a página escreve a capacidade de até 128 bytes dos dados.

Este dispositivo é capaz de aleatório e sequencial lê. Reads pode ser sequencial dentro dos limites 0000h a FFFFh e 10000h do endereço a 1FFFFh. As linhas funcionais do endereço permitem até quatro dispositivos no mesmo ônibus de dados. Isto permite até 4 a memória do sistema total EEPROM de Mbits. Este dispositivo está disponível no pino PDIP do padro 8, em pacotes de SOIC e de SOIJ.

Avaliações máximas absolutas (†)

V ................................................................................................................................. 6.5V do_{CENTÍMETRO CÚBICO}

Todas as entradas e saídas w.r.t. V SS ............................................................. -0.6V VCC a +1.0V

Temperatura de armazenamento .................................................................................... - 65°C a +150°C

A temperatura ambiental com poder aplicou ....................................................... - 40°C a +125°C

Proteço do ESD em todos os pinos .............................................................................................. ≥4 quilovolt

OBSERVAÇO do †: Os esforços acima daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operaço funcional do dispositivo naquelas ou de nenhuma outra condições acima daquelas indicadas nas listas operacionais desta especificaço no é implicada. A exposiço s condições máximas da avaliaço por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.

Tipo do pacote

Diagrama de bloco

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