INTERRUPTOR do mosfet PDP do poder do interruptor do transistor do Mosfet do poder de IRFP4229PBF

INTERRUPTOR PDP IRFP4229PbF

Características

• Tecnologia de processo avançada

• Parmetros-chave otimizados para aplicativos PDP Sustain, Recovery e Pass Switch

• Baixa E Classificaço _PULSE para Reduzir a Dissipaço de Energia no PDP Sustain, Recuperaço de Energia e Pass Switch Applications

• Baixo Q _G para resposta rápida

• Capacidade de alto nível de repetiço repetitiva para uma operaço confiável

• Épocas baixas de queda e arreultos para troca rápida

• 175 ° C Temperatura de junço de operaço para maior resistência

• Capacidade de Avalanche Repetitiva para Robustez e Confiabilidade

Descriço

Este MOSFET de potência HEXFET® é projetado especificamente para Sustain; Aplicações de troca de recuperaço de energia e passagem em painéis de exibiço de plasma. Este MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter baixa resistência resistência por área de silício e baixa classificaço E _PULSE . As características adicionais deste MOSFET so temperatura de junço operacional de 175 ° C e alta capacidade de pico de pico repetitiva. Esses recursos combinam para tornar este MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável para aplicativos de direço PDP.

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