Microplaqueta GaAГAs Ired & Photo−IC de IC do poder da microplaqueta do circuito integrado de TLP251F

Photocoupler GaAℓAs Ired & Photo−IC de TOSHIBA

TLP251F

Inversor para o condicionador de ar

Aquecimento de induço

Inversor do transistor

Movimentaço da porta do MOSFET do poder

Movimentaço da porta de IGBT

TOSHIBA TLP251F consiste em um diodo luminescente de GaAℓAs e em um fotodetector integrado.

Esta unidade é pacote do MERGULHO 8−lead.

TLP251F é apropriado para o circuito de conduço da porta de IGBT ou de FET do MOS do poder. Especialmente TLP251 é capaz da movimentaço “direta” da porta de um mais baixo poder IGBTs. (~15A)

• Corrente do ponto inicial da entrada: SE = 5mA (máximo)

• Corrente da fonte: 11mA (máximo)

• Tenso de fonte: 10~35V

• Corrente máxima da saída: ±0.4A (máximo)

• Tempo do interruptor: tpHL, tpLH = 1μs (máximo)

• Tenso do isolamento: 2500Vrms (mínimo)

• UL reconhecido: UL1577, arquivo no E67349

• Tipo VDE da opço (D4) aprovado:

  EN 60747-5-2 do RUÍDO, no. 40011913 do certificado

  Tenso de funcionamento da isolaço do máximo: 1140VPK

  Tenso excedente o mais altamente permissível: 6000VPK

(Nota 1) quando um tipo aprovado 60747-5-2 do EN é precisado, designe por favor a “opço (D4)”

• Parmetro estrutural

  Distncia de disperso: 8.0mm (Min.)

  Afastamento: 8.0mm (Min.)

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