Circuitos de Digitas CI do preço da tevê CI do Lg da MEMÓRIA do MCP K5A3281CTM-D755

O preço CI digital da tevê CI do lg da MEMÓRIA do MCP K5A3281CTM-D755 circuita

CARACTERÍSTICAS

· Tenso de fonte de alimentaço: 2.7V a 3.3V

· Organizaço

- Flash: 4.194.304 x 8/2.097.152 x bocado 16

- SRAM: 1.048.576 x 8/524.288 x bocado 16

· Tempo de acesso (@2.7V)

- Flash: 70 ns, SRAM: 55 ns

· Bloco de Secode (código de segurança): Bloco 64KB extra (flash)

· Proteço do grupo do bloco/Unprotection (flash)

· Tamanho instantneo do banco: 8Mb/24Mb, 16Mb/16Mb

· Resistência instantnea: 100.000 programas/Erase do um ciclo o mínimo · Retenço dos dados de SRAM: 1,5 V (mínimo)

· Temperatura industrial: -40°C ~ 85°C · Pacote: 69 tipo da bola TBGA - 8 x 11mm, 0,8 milímetros (máximos) de espessura do passo 1.2mm

DESCRIÇO GERAL

O K5A3x80YT (B) C que caracteriza a única fonte de alimentaço 3.0V é uma multi memória do pacote da microplaqueta que combine o flash do banco 32Mbit e 8Mbit o fCMOS duplos SRAM.

A memória Flash 32Mbit é organizada como 4M x8 ou o bocado x16 de 2M e 8Mbit SRAM so organizados como 1M x8 ou bocado de 512K x16. A arquitetura da memória da memória Flash é projetada dividir suas disposições da memória em 71 blocos e esta fornece a capacidade altamente flexível do erase e do programa. Este dispositivo é capaz de dados da leitura de um banco ao programar ou ao apagar no outro banco com organizaço dupla do banco

A memória Flash executa uma operaço do programa nas unidades de 8 bocados (byte) ou 16 bocados (palavra) e erases nas unidades de um bloco. Os únicos ou blocos múltiplos podem ser apagados. A operaço do erase do bloco é terminada para tipicamente 0.7sec.

O 8Mbit SRAM apoia a baixa tenso da retenço dos dados para a operaço alternativa de bateria com a baixa corrente da retenço dos dados.

O K5A3x80YT (B) C é apropriado para a memória do sistema de comunicaço móvel reduzir a área da montagem. Este dispositivo está disponível 69 no tipo pacote da bola TBGA.

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