Módulo P duplo do Mosfet do poder FDS6975 - canal, MOSFET de PowerTrenchTM

FDS6975 Dual P-canal, nível da lógica, MOSFET^de PowerTrench^TM

Descriço geral

Estes MOSFETs do nível da lógica do P-canal so produzidos usando o processo avançado do PowerTrench do semicondutor de Fairchild que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado no entanto para manter a baixa carga da porta para o desempenho superior do interruptor.

Estes dispositivos so poço - serido para aplicações informáticas de laptop: carregue o interruptor e põe a gesto, os circuitos do carregamento de bateria, e a converso de DC/DC.

Características

• -6 A, -30 V.R_DS(SOBRE) = 0,032 W @ V_GS = -10 V,

                     R_DS(SOBRE) = 0,045 W @ V_GS = -4,5 V.

• Baixa carga da porta (14.5nC típico).

• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - baixo R_DS(SOBRE).

• Poder superior e capacidade de manipulaço atual.

Avaliações máximas absolutas T_A = 25℃ salvo disposiço em contrário

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Notas:

1. R_doθJA é a soma do junço--caso e da resistência térmica caso--ambiental onde a referência térmica do caso é definida porque a superfície de montagem da solda dos pinos do dreno. R_doθJC está garantido pelo projeto quando o_θCAde R for determinado pelo projeto da placa do usuário.

2. Teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2,0% do ciclo de dever.

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