Amplificador MMIC bipolar do silicone Cascadable da microplaqueta do circuito integrado INA-03184

Número de modelo:INA-03184
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8200PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

 

Amplificador MMIC INA-03184 bipolar do silicone de baixo nível de ruído, Cascadable

 

Características

• Bloco Cascadable do ganho de 50 Ω

• Figura de baixo nível de ruído: DB 2,6 típico em 1,5 gigahertz

• Ganho alto: DB 25 típico em 1,5 gigahertz

• largura de banda do DB 3: C.C. a 2,5 gigahertz

• Incondicionalmente estábulo (k>1)

• Dissipaço de baixa potência: polarizaço de 10 miliampère

• Pacote do plástico do baixo custo

 
Descriço
O INA-03184 é uma configuraço de polarizaço típica Cblock Cbypass1 de (MMIC) do circuito integrado monolítico bipolar de baixo nível de ruído da micro-ondas do silicone Cblock (opcional) Rbias VCC Vd = RFC (nominal) de 4,0 V RF (opcional) NO RF PARA FORA nota 4 1 2 3: 1. VSWR pode ser melhorado contorneando um resistor diagonal do Ω 100-120 diretamente para moer. Veja AN-S012: Amplificadores de baixo nível de ruído. amplificador de feedback abrigado em um pacote do plástico da montagem da superfície do baixo custo. É projetado para as aplicações comerciais e industriais da largura de banda estreita ou larga que exigem o ganho alto e de baixo nível de ruído SE ou amplificaço do RF com consumo de potência mínimo.

 

A série de INA de MMICs é fabricada usando os 10 gigahertz fT de HP, 25␣ gigahertz f max, o processo bipolar do silicone de ISOSAT™-I que usa o auto-alinhamento do nitreto, a litografia do submicrometer, o isolamento da trincheira, a implantaço de íon, o dielétrico intermetal da metalizaço do ouro e do polyimide e a proteço do risco para conseguir o desempenho, a uniformidade e a confiança excelentes.

 

 

Configuraço de polarizaço típica

Nota: 1. VSWR pode ser melhorado contorneando um resistor diagonal do Ω 100-120 diretamente para moer. Veja AN-S012: Amplificadores de baixo nível de ruído.

 

Pacote de 84 plásticos

 

Avaliações máximas absolutas

ParmetroMáximo absoluto[1]
Corrente do dispositivo25 miliampères
Dissipaço de poder[2]200 mW
Poder de entrada do RFdBm +13
Temperatura de junço150°C
Temperatura de armazenamento– 65 a 150°C

Notas:

1. Dano permanente pode ocorrer se qualquens um limites so excedidos.

2. Derate em 10 mW/°C para TC > 130°C.

 

 

 

 

Armazene a oferta (a venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
L6599D6828ST13+SOP-16
L7805ABP12978ST11+TO-220F
L7812CV60000STM14+TO-220
L78L33ACUTR38000ST15+SOT-89
L78M05CDT98000ST16+TO-252
L78M08ABDT-TR14698ST16+SOT-252
L78M12CDT101000ST13+TO-252
L78S05CV11629ST16+TO-220
L78S12CV4245ST16+TO-220
L7985ATR13028STM15+HSOP-8
L9407F3184ST15+FECHO DE CORRER
L9637D013TR1520ST15+CONCESSO
L9826TR3101ST12+SOP-20
LA44403580SANYO13+ZIP-14
LA7804015692SANYO14+TO-220
LA7804114769SANYO15+TO-220
LA7804516047SANYO13+TO-220-7
LAN83C185-JT2746SMSC16+QFP64
LAN8710A-EZK-TR5987SMSC13+QFN32
LAN8710AI-EZK-TR15547SMSC14+QFN
LAN8720A-CP-TR4876MICROCHIP16+QFN24
LAN9115-MT7959MICROCHIP09+QFP
LCDA05.TBT7787SEMTECH11+SOP-8
LCMXO640C-3TN100C4897ESTRUTURA12+TQFP100
LCMZO640C-4TN100C1113ESTRUTURA16+QFP100
LCP02-150B1RL6643ST16+SOP-8
LD1086D2M33TR4316ST14+TO-263
LD1086V336714ST08+TO-220
LD1117ADT18TR51000ST15+TO-252
LD1117S18TR101000ST11+SOT-223

 

 

 

 

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Amplificador MMIC bipolar do silicone Cascadable da microplaqueta do circuito integrado INA-03184

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