Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620

Número de modelo:AO4620
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:8000pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce AO4620

 

Descriço geral

Os usos AO4620 avançados trench MOSFETs da tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE) e baixa carga da porta. Os MOSFETs complementares podem ser usados no inversor e nas outras aplicações. O produto padro AO4620 é Pb-livre (encontra ROHS & Sony 259 especificações).

 

Características

   p-canal do n-canal

VDS (v) = 30V -30V

MIMD = 7.2A (VGS =10V) -5.3A (VGS = -10V)

RDS(SOBRE) RDS(SOBRE)

< 24m="">GS=10V)< 38m=""> GS = -10V)

< 36m="">GS=4.5V) < 60m="">GS = -4.5V)

 

 

Avaliações máximas absolutas TA =25°C salvo disposiço em contrário

ParmetroSímboloN-canal máximoP-canal máximoUnidades
Tenso da Dreno-fonteVDS30-30V
Tenso da Porta-fonteVGS±20±20V
Dreno contínuo F atualTA =25°CMIMD7,2-5,3A
TA =70°C6,2-4,5A
Dreno pulsado B atualMIMDM30-30A
Dissipaço de poder FTA =25°CPD22W
TA =70°C1,441,44W
Avalancha B atualMIMAR1317A
Energia repetitiva 0.3mH B da avalanchaEAR2543mJ
Variaço da temperatura da junço e do armazenamentoTJ, TSTG-55 a 150-55 a 150°C

B: Avaliaço repetitiva, largura de pulso limitada pela temperatura de junço.

A dissipaço de poder de F.The e a avaliaço atual so baseadas na avaliaço da resistência térmica do ≤ 10s de t.

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
AD9254BCPZ-1501500ANÚNCIO16+QFN
ADE-10H1500MINI16+SOP6
CNY74-41500FSC13+DIP16
CY2305SXC-1HT1500CYPRESS15+SOP8
IRFP23N50L1500IR16+TO-3P
L78241500ST16+TO-220
LFCN-530+1500MINI-CIRC14+SMD
LNK304PN1500PODER14+DIP-7
LPS6235-104MLC1500COILCRAFT14+SMD
LT1248CN1500LT16+MERGULHO
MB15E07SLPFV11500FUJITSU16+TSSOP
SN74HC165DR1500SI13+CONCESSO
V30200C-E3/4W1500VISHAY15+TO-220
PC7331501AFIADO16+MERGULHO
HCPL-0466-500E1517AVAGO16+SOP-8
BDW471520EM14+TO-220
STF13NK50Z1520ST14+TO-220
M51995AP1522MIT14+MERGULHO
XC3S1600E-4FGG320C522XILINX16+BGA
RC4558P1528SI16+DIP8
ADA4528-2ARM1550DDA13+MSOP8
PIC16F648A-I/P1555MICROCHIP15+MERGULHO
TLP25311558TOSHIBA16+SOP8
IRFP150N1577IR16+TO-247
IR2520DPBF1580IR14+DIP-8
EP3C10F256C8N1588ALTERA14+BGA
IRFPC601588IR14+TO-247
LM2917N-81588NS16+DIP8
TDA7851L1633ST16+ZIP25
NCP1203D60R21665EM13+SOP-8

 

 

 

 

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Transistor de efeito de campo complementar do modo do realce do transistor do Mosfet do poder AO4620

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