Mosfet CI do poder do MOSFET do P-canal do transistor do Mosfet do poder de IRFP9240PBF

IRFP9240, SiHFP9240

MOSFET do poder

CARACTERÍSTICAS                                               

• Avaliaço dinmica de dV/dt

• Avalancha repetitiva avaliada

• P-canal

• Furo de montagem central isolado

• Interruptor rápido

• Facilidade da paralelizaço

• Exigências simples da movimentaço

• Ligaço (Pb) - disponível livre

SUMÁRIO DO PRODUTO

DESCRIÇO

Os MOSFETs do poder da terceira geraço de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinaço de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade.

O pacote TO-247 é preferido para as aplicações comercial-industriais onde os níveis de poder mais alto impossibilitam o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado. Igualmente fornece a maior distncia de disperso entre os pinos para cumprir as exigências da maioria de especificações de segurança.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS T_C = °C 25, salvo disposiço em contrário

Notas

a. Avaliaço repetitiva; largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima (veja Fig. 11).

b. V_DD = - 50 V, começando T_J = 25 °C, L = 8,2 mH, R_G = 25 Ω, I_COMO = - 12 A (veja Fig. 12).

c. Mim ≤ do_SD - 12 A, ≤ 150 A/µs de dI/dt, ≤ V_DS do_DDde V, ≤ 150 °C. de T_J.

d. 1,6 milímetros do caso.

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