Transistor de efeito de campo do mosfet CI do poder do MOSFET do N-canal de SSS7N60B 600V

Transistor de efeito de campo do mosfet CI do poder do MOSFET do N-canal de SSS7N60B 600V

Características

• 7.0A, 600V, RDS (sobre) = 1.2Ω @VGS = 10 V

• Baixa carga da porta (38 típicos nC)

• Baixo Crss (23 típicos PF)

• Interruptor rápido

• avalancha 100% testada

• Capacidade melhorada de dv/dt

• Isolamento do pacote de TO-220F = 4.0kV (nota 6)

A descriço geral estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal é produzida usando Fairchild proprietária, planar, tecnologia de DMOS.

Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho superior do interruptor, e para suportar o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutaço. Estes dispositivos so poço - serido para fontes de alimentaço do modo do interruptor da eficiência elevada.

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