Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET

Número de modelo:TPC8111
Lugar de origem:Taiwan
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:580pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor de efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET

Aplicações da bateria de íon de lítio

Aplicações do PC do caderno

Aplicações portáteis do equipamento

 

 

 

• Pegada pequena devido ao pacote pequeno e fino

• Baixa dreno-fonte na resistência: MΩ 8,1 do RDS (SOBRE) = (tipo.)

• Admisso de transferência dianteira alta: |Yfs| = 23 S (tipo.)

• Baixa corrente do escapamento: ΜA IDSS = −10 (máximo) (VDS = −30 V)

• Realce-modo: Vth = −0.8 a −2.0 V (VDS = −10 V, identificaço = −1 miliampère)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Nota: Para (nota 1), (nota 2), (nota 3) e (nota 4), refira por favor a página seguinte. Este transistor é um dispositivo sensível eletrostático. Segure por favor com cuidado

 

 

 

 

Avaliações máximas (Ta = 25°C)

Características SímboloAvaliaço Unidade
tenso da Dreno-fonte VDSS −30V
tenso da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) VDGR −30V
tenso da Porta-fonte VGSS ±20 V
Drene a dissipaço de poder (t = 10 s)Paládio 1,9 W
Drene a dissipaço de poder (t = 10 s)Paládio 1,0  W
Escolha a energia da avalancha do pulsoEAS 31,5 mJ
Corrente da avalancha IAR −11A
Energia repetitiva da avalanchaORELHA0,19mJ
Temperatura do canal Tch 150°C

 

 

 

 

LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE 

HMHAA280R11520FAIRCHILD16+SOP-4
LQH55PN100MROL6782MURATA16+SMD
MSS1260-683MLD6890COILCRAFT16+SMD
TSL1112RA-102JR50-PF10000TDK14+MERGULHO
MJE340G10000EM16+TO-126
BD139-165500ST16+TO-126
BD140-165500ST15+TO-126
2SC26253000FUJI15+TO-3P
TR600-15038000TYCO16+MERGULHO
A1324LUA-T3420ALLEGRO15+SIP-3
LVR040K38000RAYCHEM/T16+MERGULHO
LVR025S38000RAYCHEM/T16+MERGULHO
MF-R01038000BOURNS16+MERGULHO
MF-R01725000BOURNS16+MERGULHO
BFR96TS5000VISHAY15+TO-50
M28S20000UTC10+TO-92
MF-R04040000BOURNS14+MERGULHO
LVR040S38000RAYCHEM/T16+MERGULHO
LVR075S5063RAYCHEM/T16+MERGULHO
MF-R60010000BOURNS16+MERGULHO
MF-R09038000BOURNS16+MERGULHO
PKM13EPYH4000-AO5000NURATA10+MERGULHO
DE1E3KX102MJ5BA01900MURATA15+MERGULHO
LVR01238000TYCO16+MERGULHO
CS10243750ZX15+TO-92S
20D151K3000ZOV16+MERGULHO
LPD6803S30000LPD15+SOP-16
MICROSMD005F-225000TYCO16+SMD
BLM21BD601SN1D8000MURATA15+SMD
BLM21AG01SN1D8000MURATA15+SMD
AT24C02D-SSHM-T4000ATMEL15+SOP-8
VESD05A1B-02Z-GS0840000VISHAY15+SOD-923
AT24C02BN-SH-T4000ATMEL15+SOP-8
MICROSMD050F-225000TYCO16+SMD
NDT295516800FAIRCHILD14+SOT-223
AY1112H-TR8000STANLEY09+SMD
NFM3DCC223R1H3L938000MURATA16+SMD
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Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET

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