Memória Flash de série página-apagável de M25PE80-VMN6P 8-Mbit com o ônibus do megahertz SPI da mutabilidade 75 do byte

M25PE80-VMN6P 8-Mbit, memória Flash de série página-apagável com mutabilidade do byte, ônibus de 75 megahertz SPI, pinout padro

Características

Relaço de série compatível do ônibus de SPI

memória Flash 8-Mbit página-apagável

Tamanho de página: 256 bytes – a página escreva na Senhora 11 (típica) – paginam o programa em 0,8 Senhoras (típicas) – paginam o erase na Senhora 10 (típica)

Erase do subsector (4 Kbytes)

Erase do setor (64 Kbytes)

Erase maioria (8 Mbits)

2,7 V a 3,6 V escolhem a tenso de fonte

Taxa de pulso de disparo de 75 megahertz (máximo)

ΜA profundo do modo 1 do poder-para baixo (típico)

Assinatura eletrônica – assinatura padro de dois-byte de JEDEC (8014h) – código de identificaço original (UID) com 16 bytes de leitura apenas, disponível em cima do pedido do cliente somente no processo de T9HX

O software escreve a proteço em uma base do setor 64-Kbyte

O hardware escreve a proteço da área de memória selecionada usando os bocados BP0, BP1 e BP2

Mais de 100 000 escrevem ciclos

Mais de 20 anos de retenço dos dados

Pacotes – ECOPACK® (RoHS complacente)

Descriço

O M25PE80 é (1 Mb ×8) uma memória Flash 8-Mbit paginada série alcançada por um ônibus SPI-compatível de alta velocidade. A memória pode ser escrita ou 1 a 256 bytes programados em um momento, usando a página escreva ou pagine a instruço de programa. A página escreve a instruço consiste em um ciclo integrado do erase da página seguido por um ciclo de programa da página. A memória é organizada como 16 setores que so divididos mais acima em 16 subsectores cada um (256 subsectores no total). Cada setor contém 256 páginas e cada subsector contém 16 páginas. Cada página é o byte 256 largamente. Assim, a memória inteira pode ser vista como consistir em 4096 páginas, ou 1 048 576 bytes. A memória pode ser apagada uma página em um momento, usando a instruço do erase da página, um subsector em um momento, usando a instruço do erase do subsector, um setor em um momento, usando a instruço do erase do setor, ou no conjunto, usando a instruço maioria do erase. A memória pode ser escreve - protegido pelo hardware ou pelo software usando uma mistura de características de proteço temporárias e permanentes, segundo as necessidades da aplicaço. A granulosidade da proteço é de 64 Kbytes (granulosidade do setor).

Nota importante

Esta folha de dados detalha a funcionalidade dos dispositivos M25PE80, com base no processo precedente de T7Y ou baseado no processo atual de T9HX (disponível desde junho de 2007). A entrega das peças que operam-se com uma taxa de pulso de disparo máxima de 75 megahertz parte da semana 8 de 2008.

Que so as mudanças?

O M25PE80 no processo de T9HX oferece as seguintes características adicionais:

a disposiço inteira da memória é dividida nos subsectores 4-Kbyte

 duas instruções novas: escreva o registro do estado (WRSR) e o erase do subsector 4-Kbyte (SSE)

Registro do estado: 4 bocados podem ser escritos (BP0, BP1, BP2, SRWD)

WP entrado (pino 3): escrevem limites da proteço so prolongado, segundo o valor do BP0, BP1, BP2, bocados de SRWD. Os WP escrevem a proteço permanecem os mesmos se os bocados (BP2, BP1, BP0) so ajustados a (0, 0, 1)

 menor morre o tamanho permitindo o conjunto em um pacote de SO8N.

Característica suprimida:

A proteço da escrita (definida bocados pelo fechamento do WL e do LD) dos subsectores 4-Kbyte nos setores da parte superior e da parte inferior é oferecida já no. Satisfaça para mais detalhes referem PCNMPG062148.

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