K4S641632H - A microplaqueta 64Mb H do circuito integrado UC75 morre SDRAM síncrono IC

Número de modelo:K4S641632H-UC75
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7200PCS
Tempo de entrega:dia 1
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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Detalhes do produto

 

K4S641632H - A microplaqueta 64Mb H do circuito integrado UC75 morre SDRAM síncrono IC

 

4M x 4Bit x 4/2M x 8Bit x 4/1M x 16Bit x GOLE síncrono de 4 bancos

 

CARACTERÍSTICAS

• Fonte de alimentaço 3.3V padro de JEDEC

• LVTTL compatível com endereço multiplexado

• Operaço de quatro bancos

• SRA. ciclo com programas da chave de endereço

  -. Latência de CAS (2 & 3)

  -. Comprimento da exploso (1, 2, 4, 8 & págiana inteira)

  -. Tipo da exploso (sequencial & intercalaço)

 

• Todas as entradas so provadas na borda indo positiva do pulso de disparo de sistema

• A exploso leu o único-bocado escreve a operaço

• DQM (x4, x8) & L (U) DQM (x16) para mascarar

• O automóvel & o auto refrescam

• 64ms refrescam o período (o ciclo 4K)

• pacote Pb-livre

• RoHS complacente

 

DESCRIÇO GERAL

O K4S640432H/K4S640832H/K4S641632H so uma taxa de 67.108.864 dados alta síncrono RAM dinmico dos bocados organizado como 4 x 4.194.304 palavras por 4 palavras, dos bocados/4 x 2.097.152 por 8 palavras, dos bocados/4 x 1.048.576 por 16 bocados, fabricados com tecnologia do CMOS do elevado desempenho do ′ s de SAMSUNG. O projeto síncrono permite o controle preciso do ciclo com o uso de transações do I/O do pulso de disparo de sistema é possível em cada ciclo de pulso de disparo. A escala de frequências de funcionamento, o comprimento programável da exploso e as latências programáveis permitem que o mesmo dispositivo seja útil para uma variedade de largura de banda alta, aplicações de sistema da memória do elevado desempenho.

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

ParmetroSímboloValorUnidade
Tenso em algum pino V relativo aSSVDENTRO, VPARA FORA-1,0 ~ 4,6V
Tenso na fonte V relativo aSS doDDde VVDD, VDDQ-1,0 ~ 4,6V
Temperatura de armazenamentoTSTG-55 ~ +150°C
Dissipaço de poderPD1W
Corrente do curto-circuitoMIMÓSMIO50miliampère

Nota:

Dano permanente do dispositivo pode ocorrer se de “as AVALIAÇÕES MÁXIMAS ASOLUTE” so excedidas.

A operaço funcional deve ser restringida condiço operacional recomendada.

A exposiço tenso mais altamente do que recomendada por períodos de tempo prolongados podia afetar a confiança do dispositivo.

 

Dimenso física do pacote

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
IRFP064NPBF13257IR15+TO-247
IRFP150NPBF3754IR15+TO-247
IRFP240PBF6364VISHAY16+TO-247
IRFP26N60L4590VISHAY11+TO-247
IRFP2907PBF3962IR15+TO-247
IRFP460APBF5016VISHAY15+TO-247
IRFP4668PBF4165IR16+TO-247
IRFP9240PBF2375VISHAY13+TO-247
IRFPC50APBF4918VISHAY06+TO-247
IRFR024NTRPBF10083IR12+TO-252
IRFR1018ETR7234IR13+TO-252
IRFR3411TR4797IR14+TO-252
IRFR3607TRPBF6094IR13+TO-252
IRFR3910TRPBF12197IR16+TO-252
IRFR420ATRLPBF9002VISHAY09+TO-252
IRFR5410TR26000IR16+TO-252
IRFR9014TRPBF12907IR08+TO-252
IRFR9120NTRPBF9018IR14+TO-252
IRFRC20TRLPBF21285IR08+TO-252
IRFS640B4032FSC02+TO-220F
IRFS75304561IR15+TO-263-7
IRFS7734TRLPBF4532INFINEON16+TO-263
IRFU210PBF15534VISHAY14+TO-251
IRFU9110PBF10154IR05+TO-251
IRFZ44NPBF13775IR15+TO-220
IRFZ44S21356IR10+TO-263
IRFZ46NPBF8150IR16+TO-220
IRFZ48NPBF4963IR16+TO-220
IRG4BC30UD4673IR13+TO-220
IRG4PC50S9467IR13+TO-247
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K4S641632H - A microplaqueta 64Mb H do circuito integrado UC75 morre SDRAM síncrono IC

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