K4H561638H-UCB3 IC eletrônico lasca a especificação da RDA SDRAM do H-dado 256Mb

Número de modelo:K4H561638H-UCB3
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:7700pcs
Tempo de entrega:dia 1
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Distrito de construção de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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K4H560438H K4H560838H K4H561638H

especificaço da RDA SDRAM do H-dado 256Mb

 

66 TSOP-II com Pb-livre (RoHS complacente)

 

Características chaves

• VDD: 2.5V ± 0.2V, VDDQ: 2.5V ± 0.2V para DDR266, 333

• VDD: 2.6V ± 0.1V, VDDQ: 2.6V ± 0.1V para DDR400

• arquitetura da Dobro-dados-taxa; duas transferências de dados pelo ciclo de pulso de disparo

• Estroboscópio bidirecional dos dados [DQS] (x4, x8) & [L (U) DQS] (x16)

• Operaço de quatro bancos

• Entradas de pulso de disparo diferencial (CK e CK)

• O DLL alinha a transiço de DQ e de DQS com a transiço das CK

 

• SRA. ciclo com programas da chave de endereço

  -. Leia a latência: DDR266 (2, pulso de disparo 2,5), DDR333 (2,5 pulso de disparo), DDR400 (pulso de disparo 3)

  -. Comprimento da exploso (2, 4, 8)

  -. Tipo da exploso (sequencial & intercalaço)

• Todas as entradas a no ser que os dados & os DM sejam provados na borda indo positiva do pulso de disparo de sistema (CK)

• Transações do I/O dos dados em ambas as bordas do estroboscópio dos dados

• A saída de dados alinhada borda, centra a entrada de dados alinhada

 

• LDM, UDM para escrevem a máscara somente (x16)

• Os DM para escrevem a máscara somente (x4, x8)

• O automóvel & o auto refrescam

• 7.8us refrescam o intervalo (8K/64ms refrescam)

• A exploso do máximo refresca o ciclo: 8

• pacote Pb-livre de 66pin TSOP II

• RoHS complacente

 

Descriço geral

O K4H560438H/K4H560838H/K4H561638H so 268.435.456 bocados da GOLE síncrono dobro da taxa de dados organizada como as palavras 4x 16.777.216/4x 8.388.608/4x 4.194.304 por 4/8/16bits, fabricado com tecnologia do CMOS do elevado desempenho do ′ s de SAMSUNG. As características síncronos com estroboscópio dos dados permitem extremamente o elevado desempenho até 400Mb/s pelo pino. As transações do I/O so possíveis em ambas as bordas de DQS. A escala de frequências de funcionamento, o comprimento programável da exploso e as latências programáveis permitem que o dispositivo seja útil para uma variedade de aplicações de sistema da memória do elevado desempenho.

 

Avaliaço máxima absoluta

ParmetroSímboloValorUnidade
Tenso em algum pino V relativo aSSVDENTRO, VPARA FORA-0,5 ~ 3,6V
Tenso emDDde V & em fonte V relativo aSS de VDDQVDD, VDDQ-1,0 ~ 3,6V
Temperatura de armazenamentoTSTG-55 ~ +150°C
Dissipaço de poderPD1,5W
Corrente do curto-circuitoMIMÓSMIO50miliampère

Nota:

Dano permanente do dispositivo pode ocorrer se as AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS so excedidas.

A operaço funcional deve ser restringida para recomendar a condiço da operaço.

A exposiço tenso mais altamente do que recomendada por períodos de tempo prolongados podia afetar a confiança do dispositivo.

 

Dimenso física do pacote

 

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.QuantidadeTipoD/CPacote
BFS4819000INFINEON15+SOT363
LS1240AD1013TR7442ST10+SOP-8
PCA9534PW12180SI16+TSSOP
PIC18F14K22-I/SO4678MICROCHIP16+CONCESSO
PIC16F886-I/SS4783MICROCHIP16+SSOP
LM7824CT7074NSC15+TO-220
PIC16F88-I/P4763MICROCHIP10+MERGULHO
MPX5500DP6113FREESCALE15+SORVO
XC9572XL-10PC44C882XILINX10+PLCC44
L91501937ST15+FECHO DE CORRER
XL6019E15000XLSEMI14+TO263-5L
NUF6400MNTBG5200EM16+QFN
M24M02-DRMN6TP4504ST15+CONCESSO
LM2747MTC3000NSC10+TSSOP-14
XC2C256-7FT256I200XILINX12+BGA
LT1963ES812062LT10+SOP-8
LP2960IMX-3.33651NSC15+SOP-16
40069*1662BOSCH15+QFP64
LM3812M-7.01201NSC13+SOP-8
NLAS4599DFT230000EM16+ÉBRIO
MMBF170LT1G25000EM16+SOT-23
MAX6006BESA+3527MÁXIMA16+CONCESSO
MC14528BDR2G30000EM16+CONCESSO
MSE1PJ-E3/89A38000VISHAY16+SMD
LM2940CT-126960NSC15+TO-220
ZVP4424ZTA5000DIODOS12+TO-89
MCP41010-I/P5332MICROCHIP15+MERGULHO
MAX4426CPA13900MÁXIMA16+MERGULHO
MCP1702T-3302E/MB10000MICROCHIP16+SOT-89
LM9076SX-3.3926NSC14+TO-263

 

 

 

 

 

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K4H561638H-UCB3 IC eletrônico lasca a especificação da RDA SDRAM do H-dado 256Mb

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