Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD

FGH40N60SMDF

600V, parada de campo 40A IGBT

Características

• Temperatura de junço máxima: T_J =175℃

• Coeficiente positivo de Temperaure para o funcionamento paralelo fácil

• Capacidade atual alta

• Baixa tenso de saturaço: V_CE(sentado) =1.9V (tipo.) @ I_C = 40A

• Impedncia alta da entrada

• Interruptor rápido

• Aperte a distribuiço do parmetro

• RoHS complacente

Aplicações

• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC

• Aquecimento de induço

Descriço geral

Usando a tecnologia nova da parada de campo IGBT, a nova série de Fairchild de parada de campo IGBTs oferece o desempenho o melhor para as aplicações solares do inversor, do UPS, do SMPS, do IH e do PFC onde a baixas conduço e perdas do interruptor so essenciais.

Avaliações máximas absolutas

Notas: 1: Avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima.

Oferta conservada em estoque (venda quente)

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