2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector
Número de modelo:2inch-6h
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:2PCS
Capacidade da fonte:1000pcs
Tempo de entrega:Dentro 15days
Detalhes de empacotamento:em umas gavetas de únicos recipientes da bolacha
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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2 polegadas de wafer de 6H-semi sic, substratos de sic personalizados, 2 polegadas de wafer de 6H-N sic, lingotes de cristal sic, wafer de carburo de silício
Esta bolacha de carburo de silício (SiC) semi-isolante de 2 polegadas 6H é projetada para aplicações que exigem baixo consumo de energia, particularmente em detectores.O carburo de silício é conhecido pela sua excepcional estabilidade a altas temperaturas, alta tenso de ruptura e excelente condutividade térmica, tornando-o um material ideal para dispositivos e sensores eletrônicos de alto desempenho.As propriedades de isolamento elétrico superiores da bolacha e o baixo consumo de energia aumentam significativamente a eficiência e a vida útil do detectorComo um componente chave para a obtenço de tecnologia de detecço de baixo consumo e alto desempenho, esta wafer SiC é adequada para várias aplicações exigentes.
Sobre o cristal de carburo de silício SiC
- Vantagem
- • Baixo desajuste de rede
- • Alta condutividade térmica
- • Baixo consumo de energia
- • Excelentes características transitórias
- • Alta diferença de banda
Áreas de aplicaço
- 1 dispositivos eletrónicos de alta frequência e alta potência, diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
- Diodos, IGBT, MOSFET
- 2 Dispositivos optoeletrônicos: utilizados principalmente em materiais de substrato de LEDs GaN/SiC azul (GaN/SiC)
Propriedades dos materiais do carburo de silício
| Imóveis | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parmetros da malha | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Sequência de empilhamento | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 30,21 g/cm3 | 30,21 g/cm3 |
| Coeficiente de expanso térmica | 5 × 10 × 6/K | 5 × 10 × 6/K |
| Índice de refraço @750nm | no = 2.61 ne = 2.66 | no = 2.60 ne = 2.65 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) | a~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K | |
| Condutividade térmica (semisulante) | a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
| Fenda de banda | 3.23 eV | 30,02 eV |
| Campo elétrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidade da deriva de saturaço | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Especificações padro.
| 2 polegadas de dimetro de carburo de silício (SiC) Especificaço do substrato | ||||||||||
| Grau | Grau zero de MPD | Grau de produço | Grau de investigaço | Grau de simulaço | ||||||
| Dimetro | 500,8 mm±0,2 mm | |||||||||
| Espessura | 330 μm±25 μm ou 430±25 μm | |||||||||
| Orientaço da wafer | Fora do eixo: 4,0° para < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI No eixo: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidade dos microtubos | ≤ 0 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 15 cm-2 | ≤ 100 cm-2 | ||||||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00,02 a 0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Flat primário | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Duraço plana primária | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Duraço plana secundária | 100,0 mm±2,0 mm | |||||||||
| Orientaço plana secundária | Silício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ±5,0° | |||||||||
| Excluso da borda | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm | |||||||||
| Resistência corroso | Ra≤1 nm polaco | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Fragmentaço por luz de alta intensidade | Nenhum | 1 permitido, ≤ 2 mm | Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexadecimais por luz de alta intensidade | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
| Riscos causados por luz de alta intensidade | 3 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer | 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer | 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do dimetro da wafer | |||||||
| chip de borda | Nenhum | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada | |||||||
A ZMKJ pode fornecer wafer de SiC de cristal único de alta qualidade (Carburo de Silício) para a indústria eletrônica e optoeletrônica.com propriedades elétricas únicas e excelentes propriedades térmicas , em comparaço com a wafer de silício e a wafer de GaAs, a wafer de SiC é mais adequada para aplicaço em dispositivos de alta temperatura e alta potência. A wafer de SiC pode ser fornecida em dimetros de 2-6 polegadas, tanto 4H como 6H SiC,Tipo N, tipo dopado com nitrogénio e semi-isolante disponíveis.
Embalagem e entrega
>Embalagem
Nós nos preocupamos com todos os detalhes da embalagem, limpeza,
anti-estática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, vamos tomar um processo de embalagem diferente!
2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector
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