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molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, bolacha do mocvd GaN,
Tampa proibida da largura de banda do Iii-nitreto (GaN, AlN, penso) (luminescente e absorço) o ultravioleta,
a luz visível e infrared.GaN podem ser usados em muitas áreas tais como a exposiço de diodo emissor de luz, detecço alta-tenso
e imagem latente, exposiço da projeço do laser, dispositivo de
poder, etc.
Especificações:
2" moldes de GaN
Artigo | GaN-T-N | GaN-T-S |
Dimensões | Ф 2" | |
Espessura | 15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 | 30 μm, μm 90 |
Orientaço | ± 1° da C-linha central (0001) | |
Tipo da conduço | N-tipo | Semi-isolamento |
Resistividade (300K) | < 0="">Ω·cm | >106 Ω·cm |
Densidade de deslocaço | Menos do que os cm2 1x108 | |
Estrutura da carcaça |
| |
Área de superfície útil | > 90% | |
Polonês | Padro: Opço de SSP: DSP | |
Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio. |
- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF pela CORRENTE DE
RELÓGIO.
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padro tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de
trabalho após a ordem.
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