2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando
Número de modelo:GaN-não-polar
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1PC
Termos do pagamento:L / C, T / T
Tempo de entrega:2-4 semanas
Detalhes de empacotamento:única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes:
No 13 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas, wafer de GaN para LED, wafer de nitreto de gálio semicondutor para ld, modelo de GaN, wafer de GaN mocvd, substratos de GaN independentes por tamanho personalizado, wafer de GaN de tamanho pequeno para LED, wafer de nitreto de gálio mocvd 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN wafer, Substratos de GaN autônomos no polares (plano a e plano m)
GaN Wafer Característica
| produtos | Substratos de nitreto de gálio (GaN) | ||||||||||||||
| Descriço do produto: | O modelo Saphhire GaN é apresentado Método de epitaxia de fase de vapor de hidreto epixial (HVPE).No processo HVPE, o ácido produzido pela reaço GaCl, que por sua vez é reagido com amônia para produzir fuso de nitreto de gálio.O modelo epitaxial de GaN é uma maneira econômica de substituir o substrato de cristal único de nitreto de gálio. | ||||||||||||||
| Parmetros técnicos: |
| ||||||||||||||
| Especificações: | Filme epitaxial de GaN (plano C), tipo N, 2"* 30 mícrons, safira; Filme epitaxial de GaN (plano C), tipo N, safira 2"* 5 mícrons; Filme epitaxial de GaN (Plano R), tipo N, 2"* 5 mícrons de safira; Filme epitaxial GaN (M Plane), tipo N, 2"* 5 mícrons de safira. filme de AL2O3 + GaN (Si dopado tipo N);Filme de AL2O3 + GaN (Mg dopado tipo P) Observaço: de acordo com a orientaço e tamanho do plugue especial de acordo com a demanda do cliente. | ||||||||||||||
| Embalagem padro: | 1000 salas limpas, 100 sacos limpos ou embalagens de caixa única |
Aplicativo
O GaN pode ser usado em muitas áreas, como display LED, detecço e
geraço de imagens de alta energia,
Exibiço de projeço a laser, dispositivo de energia, etc.
- Exibiço de projeço a laser, dispositivo de energia, etc.
- armazenamento de data
- Iluminaço energeticamente eficiente
- Visor fla a cores
- Projeções a Laser
- Dispositivos eletrônicos de alta eficiência
- Dispositivos de microondas de alta frequência
- Detecço e imaginaço de alta energia
- Nova tecnologia de hidrogênio solor de energia
- Detecço Ambiental e Medicina Biológica
- Fonte de luz banda terahertz
Especificações:
Especificaço do modelo GaN
Arquivo de especificaço GaN independente de 2 a 4 polegadas
| Item | GaN-FS-CU-C50 | GaN-FS-CN-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| Dimensões | e 50,8 mm ± 1 mm | ||
| Grossura | 350 ± 25h | ||
| Área de superfície utilizável | > 90% | ||
| Orientaço | Plano C (0001) fora do ngulo em direço ao eixo M 0,35° ± 0,15° | ||
| Orientaço Plana | (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm | ||
| Plano de Orientaço Secundária | (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm | ||
| TTV (variaço de espessura total) | < 15h | ||
| ARCO | < 20h | ||
| Tipo de Conduço | tipo N | tipo N | Semi-isolante (dopado com Fe) |
| Resistividade (3O0K) | < 0,1 Q・cm | < 0,05 Q・cm | >106 Q・cm |
| Densidade de Deslocamento | De 1x105 cm-2 a 3x106 cm-2 | ||
| polimento | Superfície frontal: Ra < 0,2 nm (polido);ou < 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia) | ||
| Superfície Traseira: 0,5~1,5 pm;opço: 1~3 nm (solo fino);< 0,2 nm (polido) | |||
| Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em recipientes de wafer individuais, sob uma atmosfera de nitrogênio. | ||
| tamanho | Substratos de 4"GaN |
| Item | GaN-FS-N |
| Dimensões tamanho | Ф 100,0 mm ± 0,5 mm |
| Espessura do Substrato | 450 ± 50 µm |
| Orientaço do Substrato | Eixo C (0001) em direço ao eixo M 0,55± 0,15° |
| polonês | SSP ou DSP |
| Método | HVPE |
| ARCO | <25UM |
| TTV | <20um |
| Rugosidade | <0,5nm |
| resistividade | 0,05ohm.cm |
| dopante | Si |
(002) FWHM&(102) FWHM | <100arco |
Quantidade e tamanho máximo de furos e poços | Grau de produço ≤23@1000 um;Grau de pesquisa ≤68@1000 um |
| Grau fictício ≤112@1000 um | |
| Área utilizável | Nível P>90%;Nível R>80%: Nível D>70% (excluso de defeitos de borda e macro) |
| Substratos de GaN autônomos no polares (plano a e plano m) | ||
| Item | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| Dimensões | 5,0 mm × 5,5 mm | |
| 5,0 mm × 10,0 mm | ||
| 5,0 mm × 20,0 mm | ||
| Tamanho personalizado | ||
| Grossura | 330 ± 25 µm | |
| Orientaço | um plano ± 1° | m-plano ± 1° |
| TTV | ≤15 µm | |
| ARCO | ≤20 µm | |
| Tipo de Conduço | tipo N | |
| Resistividade (300K) | < 0,5 Ω·cm | |
| Densidade de Deslocamento | Menos de 5x106 cm-2 | |
| Área de superfície utilizável | > 90% | |
| polimento | Superfície frontal: Ra < 0,2 nm.Epi-pronto polido | |
| Superfície traseira: terreno fino | ||
| Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, em recipientes de wafer individuais, sob uma atmosfera de nitrogênio. | |
2.ZMKJ fornece wafer de GaN para a indústria de microeletrônica e optoeletrônica com dimetro de 2" a 4".
Wafers epitaxiais de GaN so cultivados pelo método HVPE ou MOCVD, podem ser usados como um substrato ideal e excelente para dispositivos de alta frequência, alta velocidade e alta potência.Atualmente, podemos oferecer wafer epitaxial GaN para pesquisa fundamental e uso de desenvolvimento de produtos de dispositivos, incluindo modelo GaN, AlGaN
e InGaN.Além do wafer padro baseado em GaN, você pode discutir sua
estrutura de camada epi.
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material estando
Inquiry Cart
0