Bolacha do nitreto do gálio do semicondutor, molde N da carcaça de GaN - tipo - 2 polegadas
Número de modelo:GaN-2INCH 10x10mm
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5pc
Termos do pagamento:L / C, T / T
Tempo de entrega:2-4 semanas
Detalhes de empacotamento:única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
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Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha
semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN,
bolacha do mocvd GaN, carcaças autônomas pelo tamanho
personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha
10x10mm de GaN de GaN do tamanho do nitreto do gálio do mocvd,
5x5mm, bolacha de 10x5mm GaN
- Iii-nitreto (GaN, AlN, penso)
O nitreto do gálio é um tipo de semicondutores compostos de largo-Gap. A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é
uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente para 10+years em China. As características so uniformidade altamente cristalina, boa, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN so usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde) além disso, desenvolvimento progrediu para aplicações do dispositivo eletrónico do poder e da alta frequência.
Tampa proibida da largura de banda (luminescente e absorço) o
ultravioleta, a luz visível e o infravermelho.
GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposiço de diodo
emissor de luz, a detecço alta-tenso e a imagem latente,
- Exposiço da projeço do laser, dispositivo de poder, etc.
- Armazenamento da data
- iluminaço Energia-eficiente
- Exposiço do fla da cor completa
- Laser Projecttions
- Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
- Dispositivos de alta frequência da micro-ondas
- A detecço alta-tenso e imagina
- Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia
- Detecço do ambiente e medicina biológica
- Faixa do terahertz da fonte luminosa
Especificações:
| Carcaças autônomas de GaN (tamanho personalizado) | ||
| Artigo | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Dimensões | 10.0mm×10.5mm | 14.0mm×15.0mm |
| Densidade do defeito de Marco | Um nível | 0 cm-2 |
| Nível de B | ≤ 2 cm-2 | |
| Espessura | Grau 300 | 300 µm do ± 25 |
| Grau 350 | 350 µm do ± 25 | |
| Grau 400 | 400 µm do ± 25 | |
| Orientaço | ± 0.5° da C-linha central (0001) | |
| TTV (variaço total da espessura) | µm ≤15 | |
| CURVA | µm ≤20 | |
| Tipo da conduço | N-tipo | Semi-isolamento |
| Resistividade (300K) | < 0=""> | >106 Ω·cm |
| Densidade de deslocaço | Menos do que 5x106 cm-2 | |
| Área de superfície útil | > 90% | |
| Polonês | Superfície dianteira: Ra < 0=""> | |
| Superfície traseira: Terra fina | ||
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio. | |
| Artigo | GaN-FS-N-1.5 | |||
| Dimensões | ± 0.5mm de Ф 25.4mm | ± 0.5mm de Ф 38.1mm | ± 0.5mm de Ф 40.0mm | ± 0.5mm de Ф 45.0mm |
| Densidade do defeito de Marco | Um nível | ≤ 2 cm-2 | ||
| Nível de B | > 2 cm-2 | |||
| Espessura | 300 µm do ± 25 | |||
| Orientaço | ± 0.5° da C-linha central (0001) | |||
| Orientaço lisa | ± 0.5° (de 1-100) | ± 0.5° (de 1-100) | ± 0.5° (de 1-100) | ± 0.5° (de 1-100) |
| 8 ± 1mm | 12 ± 1mm | 14 ± 1mm | 14 ± 1mm | |
| Orientaço secundária lisa | ± 3° (de 11-20) | ± 3° (de 11-20) | ± 3° (de 11-20) | ± 3° (de 11-20) |
| 4 ± 1mm | 6 ± 1mm | 7 ± 1mm | 7 ± 1mm | |
| TTV (variaço total da espessura) | µm ≤15 | |||
| CURVA | µm ≤20 | |||
| Tipo da conduço | N-tipo | Semi-isolamento | ||
| Resistividade (300K) | < 0=""> | >106 Ω·cm | ||
| Densidade de deslocaço | Menos do que 5x106 cm-2 | |||
| Área de superfície útil | > 90% | |||
| Polonês | Superfície dianteira: Ra < 0=""> | |||
| Superfície traseira: Terra fina | ||||
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio. | |||
Nossa viso da empresa de Factroy
nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia
da aplicaço para a indústria nossa fábrica.
GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restriço para a aplicaço
dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida
e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da
micro-ondas da confiança, brilho alto
e eficiência elevada, diodo emissor de luz da economia de energia.
- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se no, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o
primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padro tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 4 semanas de
trabalho após a ordem.
Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, unio ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e
segurança do comércio.
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.
Q: Você tem o relatório de inspeço para o material?
Nós podemos fornecer relatórios do relatório e do alcance de ROHS
para nossos produtos.
Bolacha do nitreto do gálio do semicondutor, molde N da carcaça de GaN - tipo - 2 polegadas
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