Bolacha deisolamento do InP do fosforeto de índio de 4 polegadas para o diodo láser do LD
Número de modelo:InP-3inch
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Capacidade da fonte:1000pcs/month
Tempo de entrega:3-4weeks
Detalhes de empacotamento:única caixa da bolacha
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Shanghai Shanghai China
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
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O InP introduz
| Único cristal do InP | |
o crescimento (método alterado de Czochralski) é usado para puxar um único cristal com partir encapsulant do líquido bórico do óxido de uma semente. O entorpecente (Fe, S, Sn ou Zn) é adicionado ao cadinho junto com
o polycrystal. A alta presso é aplicada dentro da cmara para
impedir a decomposiço da empresa do índio Phosphide.he desenvolveu um processo para render a pureza
inteiramente stoechiometric, alta e o baixo cristal do inP da
densidade de deslocaço único. a uma tecnologia térmica do defletor em relaço a um numérico modelagem de condições térmicas do crescimento. o tCZ é um eficaz na reduço de custos tecnologia madura com reprodutibilidade de alta qualidade do boule ao boule | |
Especificaço
O Fe lubrificou o InP
Especificações deisolamento do InP
| Método do crescimento | VGF |
| Entorpecente | Ferro (FE) |
| Forma da bolacha | Círculo (dimetro: 2", 3", E 4") |
| Orientaço de superfície | (100) ±0.5° |
Orientações do *Other talvez disponíveis mediante solicitaço
| Resistividade (Ω.cm) | ≥0.5 × 107 |
| Mobilidade (cm2/V.S) | ≥ 1.000 |
| Densidade do passo gravura em gua forte (cm2) | 1,500-5,000 |
| Dimetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| URDIDURA (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Nota: Outras especificações talvez disponíveis mediante solicitaço
n- e p-tipo InP
especificações deconduço do InP
| Método do crescimento | VGF |
| Entorpecente | n-tipo: S, Sn E Undoped; p-tipo: Zn |
| Forma da bolacha | Círculo (dimetro: 2", 3", E 4") |
| Orientaço de superfície | (100) ±0.5° |
Orientações do *Other talvez disponíveis mediante solicitaço
| Entorpecente | S & Sn (n-tipo) | Undoped (n-tipo) | Zn (p-tipo) |
| Concentraço de portador (cm-3) | (0.8-8) × 1018 | × 1015 (de 1-10) | (0.8-8) ×1018 |
| Mobilidade (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | × 103 (de 3-5) | 50-100 |
| Densidade do passo gravura em gua forte (cm2) | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Dimetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| URDIDURA (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Nota: Outras especificações talvez disponíveis mediante solicitaço
| Processamento da bolacha do InP | |
| Cada lingote é cortado nas bolachas que so dobradas, lustrado e na superfície preparada para a epitaxia. O processo total é detalhado abaixo. | |
| Especificaço e identificaço lisas | A orientaço é indicada nas bolachas por dois planos (por muito tempo lisos para a orientaço, o plano pequeno para a identificaço). O padro de E.J. (entre a Europa e o Japo) é usado geralmente. A configuraço lisa alternativa (E.U.) é usada na maior parte para Ø 4" bolachas. |
| Orientaço do boule | As bolachas exatas (100) ou misoriented so oferecidas. |
| Preciso da orientaço de DE | Em resposta s necessidades da indústria optoelectronic, nós bolachas das ofertas com preciso excelente do da orientaço: < 0=""> |
| Perfil da borda | Há duas especs. comuns: borda química que processa ou que processa mecnico da borda (com um moedor da borda). |
| Polonês | As bolachas so lustradas por meio de um processo produto-mecnico tendo por resultado uma superfície plana, dano-livre. nós fornecemos bolachas lustradas e único-lado lustradas do dobro-lado (com verso dobrado e gravado). |
| Preparaço de superfície e empacotamento finais | As bolachas atravessam muitas etapas químicas remover o óxido
produzido durante o lustro e criar uma superfície limpa com a
camada estável e uniforme do óxido que esto pronta para o
crescimento epitaxial - superfície epiready e que reduz elementos
de traço a extremamente - baixos níveis. Após a inspeço final, as
bolachas so empacotadas em uma maneira que mantenha a limpeza de
superfície. As instruções específicas para a remoço do óxido esto disponíveis para todos os tipos das tecnologias epitaxial (MOCVD, MBE). |
| Banco de dados | Como parte de nosso programa estatístico da gesto qualidade controle de processos/total, o banco de dados extensivo que grava as propriedades elétricas e mecnicas para cada lingote assim como análise de cristal do qualidade e a de superfície das bolachas está disponível. Em cada fase de fabricaço, o produto é inspecionado antes de passar fase seguinte para manter um nível elevado de consistência da qualidade da bolacha bolacha e do boule ao boule. |
Pacote & entrega
FAQ:
Q: Que é seus MOQ e prazo de entrega?
: (1) para o inventário, o MOQ é 5 PCes.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10-30 PCes acima.
(3) para produtos personalizados, o prazo de entrega em 10days, tamanho custiomzed para 2-3weeks
Bolacha deisolamento do InP do fosforeto de índio de 4 polegadas para o diodo láser do LD
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