Tipo posição livre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm

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GaN Applications

GaN pode ser usado para fazer diversos tipos dos dispositivos; os dispositivos preliminares de GaN so diodos emissores de luz, diodos láser, eletrônica de poder, e dispositivos RF.

GaN é ideal para o diodo emissor de luz devido ao bandgap direto do eV 3,4 que está no espectro UV próximo. GaN pode ser ligado com a penso e o AlN, que têm bandgaps de 0,7 eV e de eV 6,2, respectivamente. Consequentemente, este os sistemas materiais podem teoricamente medir um grande espectro de energia para o dispositivo luminescente. Na prática real, a eficiência é a mais alta para dispositivos e diminuições azuis de InGaN para o índice alto InGaN do índio ou para emissores de AlGaN. O espectro UV e azul próximo é ótimo para fazer os emissores brancos com fósforos, e esta tecnologia foi responsável para os ganhos notáveis da eficiência na iluminaço desde os anos 90 em que os diodos emissores de luz começaram a substituir fontes luminosas tradicionais.

Os diodos láser, geralmente com emisso azul, podem ser feitos usando GaN. Estes dispositivos so usados para as exposições e a alguma especialidade biomedicáveis, o corte, e aplicações científicas. Os diodos láser podem igualmente ser usados fazendo os dispositivos luminescentes brancos com fósforos. Comparado ao diodo emissor de luz, a luz branca do diodo láser pode conseguir uma densidade de poder superior mesma e um directionality alto.

Para a eletrônica de poder, os dispositivos GaN-baseados podem conseguir velocidades de comutaço, a densidade de poder superior, e perdas de baixa energia altas tendo por resultado uns produtos de converso mais eficientes, menores, e mais claros do poder. Há uns pedidos numerosos para a eletrônica de poder GaN-baseada que inclui veículos elétricos, inversores solares e das energias eólicas, controladores industriais do motor, centros de dados, e produtos eletrónicos de consumo.

os dispositivos RF GaN-baseados possuem muitas das mesmas vantagens da eletrônica de poder de GaN, e adicionalmente podem alcançar uma frequência mais alta do que semicondutores tradicionais. Os dispositivos RF so usados para o aquecimento, o radar, e telecomunicações industriais. GaN é especialmente vantajoso para a densidade de poder superior como para estações base celulares.

Tecnologia de HVPE

A epitaxia da fase de vapor do hidruro (HVPE) é um processo que possa produzir único GaN de cristal. É usada para o crescimento de carcaças de GaN devido taxa de elevado crescimento e de alta qualidade que pode ser alcançada. Neste processo, o gás do HCl é reagido com o metal líquido do gálio, que forma o gás de GaCl. Ento o GaCl reage com o °C 1.000 do gás do ₃ do NH aproximadamente para formar o cristal contínuo de GaN. Eta Research desenvolveu nosso próprio equipamento de HVPE com o objetivo para custar eficazmente a escala a produço de bolachas de GaN.

Presentemente, a grande maioria de dispositivos GaN-baseados usa carcaças estrangeiras tais como o ₃ e o si do ₂ O do Al. Embora as carcaças estrangeiras sejam boas para algumas aplicações, o material dissimilar faz com que os defeitos estejam colocados nas camadas do dispositivo de GaN enquanto o material é depositado. Os defeitos podem reduzir o desempenho.

As carcaças de GaN, especialmente com baixa densidade do defeito, oferecem a melhor escolha para o depósito de camadas do dispositivo de GaN. O uso de carcaças de GaN melhorará a eficiência, a densidade de poder, e o outro medidor do desempenho de dispositivos de GaN.